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MOSFET的制造工艺

数字集成 电路设计 学校:西安科技大学 院系:电控学院电子科学系 引言  电路设计人员必须具备芯片制造的 实践知识,根据不同的制造参数有 效地设计并优化电路。电路设计人 员也应该对制造工艺中使用的各层 掩膜的作用以及如何使用掩膜来定 义片上器件的各种特性有清楚地了 解。 数字集成电路设计 2 在硅衬底上制作MOS晶体管 MOS集成电路的工艺 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 数字集成电路设计 3 N沟MOS 晶体管的基本结构 源极(S) 栅极(G) 漏极(D) 栅极 绝缘层(SiO ) 源极 2 漏极 n+ n+ 半 导 体 P型硅基板 基 板 MOS 晶体管实质上是一种使 MOS 晶体管的动作 电流 时而流过,时而切断的开关 2012/3/27 数字集成电路设计 4 MOS 晶体管的立体结构 polysilicon gate多晶硅栅 metal connection to gate doped silicon掺杂硅 top nitride氮化物 metal connection to drain metal connection to source field oxide oxide gate oxide source drain silicon substrate

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