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MOSFET的制造工艺
数字集成
电路设计
学校:西安科技大学
院系:电控学院电子科学系
引言
电路设计人员必须具备芯片制造的
实践知识,根据不同的制造参数有
效地设计并优化电路。电路设计人
员也应该对制造工艺中使用的各层
掩膜的作用以及如何使用掩膜来定
义片上器件的各种特性有清楚地了
解。
数字集成电路设计 2
在硅衬底上制作MOS晶体管
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P阱CMOS工艺
N阱CMOS工艺
双阱CMOS工艺
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源极(S)
栅极(G)
漏极(D)
栅极
绝缘层(SiO )
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漏极
n+ n+ 半
导
体
P型硅基板 基
板
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MOS 晶体管的动作
电流 时而流过,时而切断的开关
2012/3/27
数字集成电路设计 4
MOS 晶体管的立体结构
polysilicon gate多晶硅栅 metal connection to gate
doped silicon掺杂硅
top nitride氮化物 metal connection to drain
metal connection
to source
field oxide
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source drain
silicon substrate
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