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半导体工艺4
第十章 氧化
第十章 氧化
热生长氧化物
热生长氧化物
1
主要内容
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1. 描述半导体制造中氧化膜,包括它的原子结
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构、用途及优点。
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2. 描述氧化的化学反应以及如何在硅上生长氧
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化物及其简单计算。
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3. 解释选择性氧化并给出两个实例。
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4*.介绍三种热氧化工艺设备,描述立体炉的五
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个部分,并讨论快速升温立式炉的优点。
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5. 解释什么是快速热处理。
5. 解释什么是快速热处理。
2
10.1引言 Diffusion Area
Wafer fabrication (front-end)
Wafer start
Thin Films Polish
Unpatterned wafer
Photo Etch
mpleted wafer Diffusion
Test/Sort
Implant
3
10.2 氧化膜 的特点及应用
10.2 氧化膜 的特点及应用
1、物理性质
性质 Si SiO2
3
比重(g/cm ) 2.23 2.20
禁带宽度(eV ) 1.12 ~ 8
介电常数 11.7 3.9
熔点(℃) 1417 1700
热导率 1.5 0.01
(W/cm.k )
击穿电场 3 χ105 6 χ106
(V/cm ) 4
氧化膜的作用
氧化膜的作用
①★保护器件和隔离: 2
SiO 坚硬和
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