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晶体三极管 晶体三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率交换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几GHz左右。 一、概述 公司晶体三极管产品的名称 3 DD 488 200 N P Y L SA1 二、晶体三极管的主要参数 2。三极管的交流参数 三、普通硅平面三极管工艺 1。平面三极管纵向结构 2.平面三极管平面结构 梳状结构 反覆盖结构 4. PNP平面三极管工艺流程 四、三极管的常见问题 可能原因：表面沾污、扩散异常引起的基区表面反型 主要措施：提高基区表面浓度，消除表面沾污、扩散异常 可能原因：发射区偏出基区、针孔、缺陷等引起CE两极存在电阻通道 主要措施：提高发射区对基区套刻精度，消除针孔、缺陷 原因：基区宽度随集电极电压增高而变小 主要措施：提高基区宽度、基区浓度 3。K值偏小 主要原因：表面沾污、缺陷引起的基区输运系数下降 主要措施： A.减少表面沾污、缺陷 B.改善表面钝化工艺 C.改用100材料 4。饱和压降偏大 主要原因：外延电阻率太高或厚度太厚 主要措施：降低外延电阻率或厚度 主要原因：衬底电阻率太高或厚度太厚、Rb偏大 主要措施： A.降低衬底电阻率或厚度 B.减小Rb 5。接触电阻偏大 主要原因：正面或背面si 与金属接触不良 主要措施：确保金属蒸发前的si表面洁净，提高si掺杂浓度、选择合适的金属降低势垒. 6。大电流特性不好 7。二次击穿耐量不好 可能原因：缺陷、沾污或结构设计不合理。 主要措施： 1。消除缺陷、沾污。 2。改善版图结构，使电流更均匀. 3。采用镇流电阻。 4。增加高阻集电区厚度。 8。HFE偏大或偏小 偏大可能原因：基区偏淡、偏浅，发射区偏浓、偏深。 偏小可能原因：基区偏浓、偏深，发射区偏淡、偏浅。 主要措施： 控制好基区、发射区的浓度和结深。 HFE控制的好坏是公司生产三极管的关键 目前公司主要通过涂布源工艺改善发射区浓度均匀性来提高HFE均匀性 9。 BVcbo、BVceo偏小 可能原因： 1。外延偏浓、偏薄。 2。基区结深不合适或表面电场集中。 3。HFE偏大导致BVceo偏小 4。图形设计、工艺异常 5。针孔或缺陷 主要措施： 1。提高外延厚度和电阻率。 2。选取合适基区结深，采取适当措施降低表面电场 3。控制好HFE 4。消除图形设计、工艺异常 5。消除针孔或缺陷 五。中、高压晶体管的耐压特殊考虑 中、高压晶体管的耐压通常不仅仅取决于外延的电阻率和厚度，往往由于表面电场集中造成漏电流增大或局部热击穿，其耐压达不到体雪崩击穿电压。要消除表面限制使耐压达到体雪崩击穿电压，必须： a。降低PN结表面电场强度 b。 提高表面保护材料的耐压强度 1.降低PN结表面电场强度的几种方法 a. 场板结构 主要利用金属场板的感应电荷减小PN结弯曲处表面电场集中 b. 台面结构 主要通过开槽或磨角的方法消除PN结弯曲处表面电场集中 c. 分压环结构 主要通过在主结临界击穿前，让主结的耗尽层“穿通”到分压环上，穿通之后的电压主要由分压环分担。 d. 结的终端延伸结构 主要通过轻掺杂的P区延伸带，结终止区空间电荷层宽度大大加宽，峰值电场强度大幅度下降，有效提高了击穿电压。 2。常用的几种高压表面保护材料 a.氮化硅 b.聚铣亚胺 c.掺氧多晶硅、掺氮多晶硅 1.晶体三极管的各种形状 2.晶体三极管的名称和分类 晶体三极管的名称根据JISC 7012，按下图所示决定。 三极管 低频大功率 芯片尺寸4.88mm ce耐压200V 类型NPN 平面工艺 背面金属为银 正面金属为铝 版本号 3.晶体三极管的结构和电路符号 1。三极管的直流参数 3。三极管的极限参数 3。三极管的主要特性曲线 3.NPN平面三极管工艺流程 根据HFE确定 退火 N型退火 12 条件待定，Rs=4±1Ω/□ 涂布磷预扩 涂布磷预扩 11 500RPM 2”+2000RPM 10”+BAKE 器件磷涂布 磷涂布 10 　 　 发射区光刻 9 1200℃ 30′N2+30′H2/O2 P型退火 P型退火 8 B+，60keV 5.0E14cm-2 硼注入 硼注入 7 1000℃ (62′) O2 800±80? 氧化 6 　 　 基区光刻 5 硅片正面刻批号、片号 激光打标 激光打标 4 900℃ 60′H2/O2 + 1050℃62′H2/O2 ,器件N氧化 氧化 3 N型,1050℃，先本征外延 1um；再生长11um，掺磷，ρ=1.3Ω·cm SiHCl3 N型外延 外延 2 [SL5N1-P8] N/掺砷 ρ0.005Ω·cm 二部投片 来料接收 1 处理条件 描述 工序 序号 二部出货 二部出货 送出 21 处理条件