蓝色发光二极管的研究进展.pdf

综　　述 蓝色发光二极管的研究进展 宋登元　郭宝增 (河北大学电子与信息工程系, 保定 071002) 摘要　综述了制备蓝色发光二极管的材料及相应的薄膜生长、掺杂和欧姆接触技术 的实验研究。介绍并讨论了 SiC、GaN 和 ZnSe 蓝色发光二极管的发展状况。 关键词　SiC　GaN 　ZnSe　蓝色L ED - - Progress in the Study of Blue L ight Em itting D iodes Song D engyuan , Guo Baozeng ( , , 071002) D ep artm ent of E lectronics and Inf orm ational E ng ineering H ebei U niversity B aod ing 　 , Abstract A n overview of experim en tal researches in m aterial film grow th dop ing ( ) . and ohm ic con tact fo r the b lue ligh t em itting diodes L ED is given R ecen t p rogress in , . the study of SiC GaN and ZnSe ligh t em itting diodes is p resen ted 　 　 　 　 Keywords SiC GaN ZnSe B lue ligh t em itting diode 1　引　言 蓝色L ED 都极为重视, 近年来取得了一系列可 自从实用化的 族化合物发光二极管 喜的成果。 (L ED ) 于 70 年代初问世至今, 在 20 多年时间 从半导体器件工作原理上看, L ED 是一种 里, 由于L ED 比其它一些光源具有寿命长、可 注入型半导体发光器件, 当半导体pn 结通以 靠性高、体积小、功耗低、响应速度快、易于 正向电流时, 通过少数载流子的注入复合而发 调制和集成等特点, 因而已被广泛的用于信息 光, 发光波长主要由材料的禁带宽度决定: 显示、图象处理、办公自动化、消费电子产品 h ·c 12395 和各类指示光源, 发展成为现代光电子器件的 = = ( ) m E g E g 一个重要分支。当今全球L ED 的年销售额已超 式中: 表示发光的波长;