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Hitachi—SU6600FESEM设备简介.docVIP

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Hitachi—SU6600FESEM设备简介

SU6600设备简介 设备名称 HITACHI SU6600 Schottky Emission VP FE-SEM 日立可变真空度热场发射扫描电镜 设备简介 SU6600是日立公司为分析应用推出的新型热场扫描电镜,可以提供200nA的探针电流,并且配置了VP(Variable Pressure)功能,可向样品室充入气体,可以满足不导电样品的无蒸镀观测:在低真空(10~300Pa)下可能获得优于3.5nm的高分辨背散射电子像。该设备适用于微纳米材料精细形貌观察,可得到高质量高分辨二次电子图像。配备的EDAX公司的X射线能谱仪可对样品做定性及定量分析。该设备适用于材料、物理、化学、生物、医学等领域的微观表征和分析。 设备参数 电子枪类型:热场发射 探针电流:1pA ~ 200nA 加速电压:0.5 ~ 30KV SE图像分辨率:1.2 nm(Vacc:30kV) BSE图像分辨率:3.5 nm(Vacc:30kV,10Pa) 放大倍率:10 ~ 600,000 EDS探测器:EDAX 加速电压:0.5 ~ 30 kV 环扫真空度:10 ~ 300 Pa 主要附件介绍 附件一: EDAX Apollo 硅漂移电制冷能谱EDS探头 硬件参数: 探头晶体工作区面积:10mm2 分辨率: 125 eV 峰背比: 9000 : 1 检测元素范围:Be4 ~ Am95 扫描电子显微镜(SEM)概论 扫描电子显微镜的设计思想和工作原理,早在1935年便已被提出来了。1942年,英国首先制成一台实验室用的扫描电镜,但由于成像的分辨率很差,照相时间太长,所以实用价值不大。经过各国科学工作者的努力,尤其是随着电子工业技术水平的不断发展,到1956年开始生产商品扫描电镜。近数十年来,扫描电镜已广泛地应用在生物学、医学、冶金学等学科的领域中,促进了各有关学科的发展。 扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时,被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子,以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时,也可产生电子-空穴对、晶格振动(声子)、电子振荡(等离子体)。原则上讲,利用电子和物质的相互作用,可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息,如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等等。 一、场发射扫描电子显微镜基本原理 被加速的高能电子束照射到样品上(在高真空状态下),入射电子束与样品相互作用,产生各种信号,通过不同的探测器检测各种不同的信号,便可以得到有关样品的各种信息。例如,最常见的二次电子信息,就能直接得到样品表面的图像信息。场发射扫描电子显微镜(与普通扫描电镜不同的是采用高亮度场发射电子枪,从而获得高分辨率的高质量二次电子图象)可以观察和检测非均相有机材料、无机材料及微米、纳米材料样品的表面特征,是材料表面形貌观察有效仪器。广泛用于金属材料、高分子材料、化工原料、地质矿物、商品检测、产品生产质量控制、宝石鉴定、生物学、医学、考古和文物鉴定及公安刑侦物分析等。 1.光学显微镜与扫描电子显微镜 光学显微镜是用可见光照射在样品表面,反射光通过一系列玻璃透镜放大后而呈现出样品的放大图象,由于波长和光干涉限制,极限只能观察到小至200nm左右的颗粒。与光学显微镜不同,场发射扫描电子显微镜(电子束波长极短)是用电子束在样品表面扫描,电子束轰击样品表面,释放出二次电子和反射电子等,通过二次电子探测器检测二次电子信号,按相同扫描规律,在显示器上成像。由于二次电子信号与样品的原子系数大小和入射角有关,而入射角因样品表面粗糙度(形貌)而变化,故可直接获得高质量的样品表面形貌图象。而扫描图象景深大,得到的二次电子图象有“三维空间效果”(立体感相当好)。目前,高分辨率场发射扫描电子显微镜能观察到小至1nm(对普通样品一般只能观察几纳米以上的样品)左右的颗粒。和光学显微镜及透射电镜相比,扫描电镜具有以下特点: (一)能够直接观察样品表面的结构,样品的尺寸可大至120mm×80mm×50mm。 (二)样品制备过程简单,不用切成薄片。 (三)样品可以在样品室中作三度空间的平移和旋转,因此,可以从各种角度对样品进行观察。 (四)景深大,图象富有立体感。扫描电镜的景深较光学显微镜大几百倍,比透射电镜大几十倍。 (五)图象的放大范围广,分辨率也比较高。可放大十几倍到几十万倍,它基本上包括了从放大镜、光学显微镜直到透射电镜的放大范围。分辨率介于光学显微镜与透射电镜之间,可达1nm。 (六)电子束对样品的损伤与污染程度较小。 (七)在观察形貌的同时,还可利用从样品发出的其他信号作微区成分分析。 2. 电子束与样品的相互作用 入射电子照射到样品上,其中一部分几乎不损失其能量地在

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