硅超大规模集成电路工艺技术金属化.pdfVIP

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2017-08-17 发布于河北
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硅超大规模集成电路工艺技术金属化

微电子工艺技术第八讲单项工艺金属膜制备-蒸发、溅射、CVD和电镀钱鹤清华大学微纳电子系 CMOS器件旁的 Plug 布线层数和总长度：10层布线，最细线宽在45nm左右，而布线总长度可达到5公里量级；除了金属引线本身的电阻以外，金属与半导体接触界面引入的接触电阻往往对器件特性起重要的作用，通常采用硅化物（Silicide）作为接触材料 Specific Contact Resistance Contact Resistance rC Area A R C   r    C A     M   RC exp B       R exp  N C  D    S/C Specific Contact Resistance RC Specific Contact Resistance Thermionic Emission Theory for W 5 nm    q    A* = Richardson’s  k   B  2 R  exp  cm  Constant C  *   kT  