超大规模集成电路的可制造性设计(pdf5).pdfVIP

维普资讯 】 、、I_I 工摭求 M icroscope，Measurement，M icrofabrication ＆ Equipment 超大规模集成 电路的可制造性设计 郭 琦，李惠军 (山东大学孟竞微 电子研发中心，济南 250100) 摘要 ：以 Synopsys推 出的 TCAD软件 TSUPREM—IV和 Medici为蓝本 ，结合 100nIT1栅长 PMOSFET的可制造性联机仿真与优化实例，阐述 了超大规模集成 电路 DFM 阶段所进行的工艺 级、器件物理特性级优化及工艺参数的提取。 关键词 ：超大规模集成电路 ；深亚微米 ；可制造性设计 中图分类号：TN402 文献标识码 ：A 文章编号：1671-4776 (2005)09—0435—05 Design forM anufaeturability ofVLSI GUO Qi，LIHui-jun (MengyooMicroelectronicsResearchandDeve mentCentre，ShandongUniversity，Jina~250100，China) Abstract：With theSynopsysTCAD design toolsincludingTSUPREM—IV and Medici，thepro— cessand device simulation are introduced by extracting and comparing the characteristicsofthe 100nm gate length PMOSFET transistorswith differentprocessconditionsandparameters． Key words：very largescaleintegrated circuit(VLSI)；deep submicron (DSM)；design for manufacturability (DFM) 要 的。 1 引 言 为了得到高性能的集成化器件，需要合理地选 当代 EDA工程设计范畴，涉及到 VLSI前端 择和调整晶圆加工过程 的工艺参数及器件的纵、横 (系统级描述及综合仿真、验证等)设计和后端 结构参数，即工艺级参数优化和器件级特性优化 。 (布局布线及版图优化)设计阶段，而最受芯片晶 这也是 IC可制造性设计的主要工作。实际内容即 圆代工厂商所关注的是 IC—TCAD设计阶段，即基 为将工艺级仿真和器件特性级模拟联动实现。将工 于 Ic工艺级、器件物理特性级仿真与优化层次的 艺级仿真所得到的器件 内部杂质分布和器件的几何 DFM。Synopsys公司与 Photronics公司已就合作开 尺寸导人器件特性模拟器，针对特定工艺条件、工 发基于掩模综合优化层次下的DFM解决方案及可 艺参数提取相应的器件性能参数 。对 IC可制造性 制造性设计规则 (DFM—measure)达成共识 。Men— 设计的描述，如图 1所示。 tor公司正在整合其可制造性设计分析 (DFM一 Ana1yze)计划 - 工 次和导体孽 絮 _=云i 型亘墨垦坌鱼 器件特性模拟}-—◆器件特性 ． ． 。 __——}一 结构几何尺寸 件物理特1L．tL驭／．17的计算机仿真在 IC设计业界被 器件掩模信息 器件工