用於功率放大器的互补式金氧半场效晶体测试元件(一).docVIP

用於功率放大器的互補式金氧半場效晶體測試元件(一) CMOS testkey for Power Amplifier I IC 編號：U18-93A/07t 指導教授：陳怡然 台灣大學電子工程研究所助理教授 電話：02424 E-mail: emery@cc.ee.ntu.edu.tw 設計者：張喬傑 碩士班研究生 電話：0955508849 E-mail: ntu.edu.tw   中文摘要(及關鍵字) 本計劃主要為了取得UMC 0.18um RF model 在multi-finger下的大信號參數，以利於日後選擇適當的電晶體來在CMOS上設計功率放大器 。 關鍵字: CMOS，功率放大器，multi-finger 計劃緣由與目的 現今在行動電話上主要的射頻前端電路(RF front-end circuit)大多使用GaAs、。，，；，。，。，，、、。，、。，multi-finger結構的高頻參數以及雜訊，，。，。，。。。。3.2 設計原理及方法 此次設計的testkey乃是針對了高功率來考量，，，。、 ，。，，，。。， Raw data file name: X_1.8G_PAEGain.txt for device X DC_IV_curve_X.txt for device X Device A: L=0.34um W=1000um Device B: L=0.34um W=1500um Device D: L=0.34um W=2500um Device F: L=0.34um W=2000um 五、，，，，，，，，，，。、”CMOS Technology Characterization for Analog and RF Design”,IEEE Journal of solid-state circuits,VOL 34,NO3,MARCH 1999 7. King-Chun Tsai, Student Member, IEEE, and Paul R. Gray, Fellow, IEEE ,“ A 1.9-GHz, 1-W CMOS Class-E Power Amplifier for Wireless Communications ” IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 34, NO. 7, JULY 1999 *** Chip Features CAD Tools *** CKT name : (設計名稱) HSPICE Technology : UMC1P6M RFCMOS Package : None Chip Size : 1.5*1.5mm2 Transistor/Gate Count : (8/None) Power Dissipation : (功率消耗；mW) Max. Frequency : measure at 1800MHz Testing Results : ■function work □partial work □ fail （partial work或fail時請勾選以下之符合原因） □ Layout佈局考慮不周 (電路佈局不對稱或純粹佈局相關失誤)量測儀器之量測範圍考量不周詳導致無法量測或無考慮量測儀器的負載效應佈局考量不周及缺乏完整的EM驗證 (Both)電路設計考量不周 (Design Rule未仔細閱讀等)未考量製程或bonding的variation後製程失敗