光学光刻技术现状和发展趋势.pdf

维普资讯 第 3o卷第 1新 电子工业 专用设备 2001年 3月 V凸l3oNo 1 E亡II1ip ntforEIectmmch0du出 M删 n时u”g Mamh2001 ● ；综 进 文章编号 ：1004-一4507(2001)Ol一0001—09 光 学 光 刻 技 术 现 状 及 发 展 趋 势 童志叉 (信息产业部 电子第 四十五研究所 ，甘肃平凉 7删 ) 摘 要 ：综述 了光学光剖 目前 的主流技 术一248mn曝光技术现状 ，介绍 了折射式透镜 和反射折射式透镜姑构及性能 结合 193兀珈技 术的开发 ，比较 了2种结构 的优势。 最后给 出了光刻设备的市场概况并讨论了光学光剖技术的发展趋势。 关键词 ：光学光刻 ；248兀珈曝光；193nm曝光；折射系统；反射折射系统 ；设备市场 中图分类号 ：TN3057 文献标识码 ：A ThePresentSituationofOpticalLithographyandItsFuture TONGZhi—yi cThe45thElectronicInstituteofMII．Pir rIgC．ansu744000．China) Almtraet：Thepresentsituationofthemajortechnologyinopticallitht~raphyisdescribed， which is248nn『exposuretechnolo．gy Th econstmetnin andperformanceofrefractive lensand catadnipaic lensisalsointroduced．Onthebasisofthedevelopmentof 193nm technology。the advantageof bothO011stluctJoIlsis~．onlpared．／hemarketsurveyforopticalexposum toolsinre— centyearsisshn~nanddiscussesthefutureforopticallithograpl~-techn ology． Keywords：OpticalLithography；248nm Exposure；193nm Exposure；Refractive Lens：Cata— dlopt~cLens；EquipmentMalket；Prospect 引言 刻技术成功地进 入 了 180nrn器件 的工业化 生产 通过与移相掩模技术 的结台 ，248nm 随着 2l世纪 的到来 ，光学光刻技术一次 远紫外光刻技术甚至实现 了50nrn晶体管栅 又一次地 冲破 其加工 极 限 ，已拓展 到亚波 长 的制作 。正是 由于光学光刻领域孜孜不息 曝光领域 ，利用 248lira 的 KrF准分子投影 光 的努力 ，使得半 导体业 界无不对 之刮 目相 收稿 日期 ：200o__11--25 维普资讯 4ol30 № 1 E p n1forElectronicProductsMamafaemfing March2001 看。不断地修改和完善产业 的发展 规划 ，提 多名代表的充分讨论，制定了 1999国际半导 出新的发展 目标 。表 1给 出了Sematech集 团 体技术发展规划 (见表 2) ，面对