第二节电阻应变式传感器.ppt

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第二章 应变式传感器 本章内容及要求 一、工作原理 (1)应变效应 二、电阻应变片的主要特性 1、主要特性参数 三、电阻应变片的测量电路 一)、直流电桥 1.直流电桥平衡条件 2.非平衡电桥 (1)单臂工作电桥 (2)双臂工作电桥(半桥) (3)四臂工作电桥(全桥) 下图(a)、(b)分别为柱式、筒式力传感器,应变片粘贴在弹性体外壁应力分布均匀的中间部分,对称地粘贴多片, 电桥连线时考虑尽量减小载荷偏心和弯矩影响,贴片在圆柱面上的展开位置及其在桥路中的连接如图 (c)、(d)所示, R1和R3串接,R2和R4串接,并置于桥路对臂上,以减小弯矩影响, 横向贴片R5和R7串接,R6和R8串接,作温度补偿用,接于另两个桥臂上。 (3).梁式力传感器 梁式弹性元件有悬臂梁(包括等截面梁和等强度梁)和两端固定梁。 对等截面梁,作用力F与某一位置处的应变关系为 两端固定梁,中间加载荷,中心处的应变为 电桥的和差特性 图2-1 直流电桥 电桥的平衡条件为: 单臂电桥 设R2=R3=R4=R0,R1=R0+ΔR 输出电压: 若ΔRR0,则 单臂电桥灵敏度: 在电桥电路中灵敏度定义: 两个邻边桥臂有相同的微电阻变化。 双臂电桥 输出电压: 双臂电桥灵敏度: 四臂电桥 输出电压: 四臂电桥灵敏度: (1). 柱(筒)式力传感器 柱式弹性元件分为实心柱和空心柱两种。实心柱可以承载较大的负荷,空心柱主要用于小集中力测量。在弹性范围之内,应力和应变成正比关系: 1、应变式力传感器 式中,F为作用力; S为圆柱的横截面积; E为材料的弹性模量。 四、电阻应变式传感器的应用 圆柱(筒)式力传感器 (a) 柱式;(b) 筒式;(c) 圆柱面展开图;(d) 桥路连线图 柱 式 (2). 环式力传感器 如图 (a)所示为环式力传感器结构图。 与柱式相比,应力分布变化较大,且有正有负。 环式力传感器 (a) 环式传感器结构图; (b) 应力分布 环式 对R/h5的小曲率圆环,可用下面的式(1)及式(2)计算出A、B两点的应变。 式中: h——圆环厚度; b——圆环宽度; E——材料弹性模量。 这样, 测出A、 B处的应变, 即可得到载荷F。 (1) (2) (a)等截面梁 (b) 等强度梁 梁式1 式中,εx为距固定梁x端处的应变;S为梁的横截面积;E为梁材料的弹性模量。 等强度梁在自由端加上作用力时,在梁上各处产生的应变大小相等。它的灵敏度结构系数与长度方向的坐标无关。为了保证等应变性,作用力F必须加在梁的两斜边的交汇点T处。等强度梁各点的应变值为 * * 电阻应变式传感器传感器的工作原理、测量电路、用途和特点。 原理:把被测量的变化转换为电阻值的变 化。 常用于测量物体的受力和机械 变形。 特点:结构简单,性能稳定,使用方便。 分辨力低,噪声大。 测量直线位移的电位计 测量应变的电阻应变片 应变式流体压力传感器 金属电阻应变式 电阻应变片 半导体应变式 电阻丝在外力的作用下发生变形,其电阻值发生变化的现象。 ρ:导体的电阻率[Ω·mm2/m]; l:电阻丝的长度[m] F:电阻丝的横截面面积[mm2]。 设一根电阻丝,未受力时的原始电阻值: 当受到外力F作用,其R的变化: 电阻的相对变化为 纵向应变 电阻率相对变化 电阻的相对变化为 几何尺寸变化引起 材料导电率因 材料变形引起 (2)金属电阻应变片 工作原理 结构 丝式、箔式 a.丝式 b.箔式 通过光刻、腐蚀等工艺制成。 c. 金属薄膜式 采用真空蒸镀或溅射式阴极扩散等方法,在薄的基底材料上制成一层金属电阻材料薄膜以形成应变片。这种应变片有较高的灵敏度系数,允许电流密度大,工作温度范围较广。 (3)半导体电阻应变片 工作原理——压阻效应 单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时,其电阻率发生变化的现象。 结构 半导体敏感栅 内引线 焊接端 外引线 胶膜衬底 a. 体型半导体应变片 将半导体材料硅或锗晶体按一定方向切割成的片状小条,经腐蚀压焊粘贴在基片上而成的应变片 b.薄膜型半导体应变片 利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上而制成. c.扩散型半导体应变片 将P型杂质扩散到N型硅单晶基底上,形成一层极薄的P型导电层,再通过超声波和热

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