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1-10位错增值与塞积
1.10 位错的增殖与塞积
;;位错线与位错缠结(TEM)
不锈钢316L (00Cr17Ni14Mo2);;1.位错的增殖 Frank-Reed Source F－R源的形核;(a) 双轴位错增殖过程;;; 两端弯出来的线段相互靠近时，由于两线段平行于柏氏矢量，但位错线方向相反，分别属于左螺型位错和右螺型位错，它们互相抵消，形成一闭合的位错环和位错环内的一小段弯曲的位错线。只要外加切应力继续作用，位错环便继续向外扩张，同时环内的弯曲位错在线张力作用下又被拉直，恢复到原始状态，并重复以前的运动，络绎不绝地产生新的位错环，从而造成位错的增殖。;(b) 单轴位错增殖过程;; ;2.位错的塞积;;障碍物可以是晶界、杂质粒子、固定位错等。;高锰钢中位错被堵塞在晶界附近;Cu-4Ti合金中位错被堵塞在晶界附近; 位错源发出的位错向前运动时，一方面受驱使它向前移动的力，另一方面受到前方塞积群对它的排斥力。
在位错塞积群中，位错间的距离由领先位错开始依次向后越来越大,即位错的排列由领头位错开始依次向后越来越疏。
位错塞积群中的位错个数n正比于外加切应力?0。和位错源至障碍物间的距离L。当L一定时，晶体滑移面受?0作用，位错源不断放出位错，使塞积群中的位错数目逐渐增多。当位错达到一定数目时，塞积群便可以抑制位错源继续向外放出位错。;塞积群不仅对位错源有抑制作用，而且对障碍物也有作用。
位错塞积群对障碍物的作用力是外加切应力的n倍。塞积群中的位错数目越多，塞积群对障碍物的作用力越大。
领先位错的前端会产生很大的应力集中。这种强大的应力集中可以使塞积群中的螺型位错通过交滑移而越过障碍物，也会使领先位错前端的相邻晶粒内的位错源开动。应力集中大到一定程度时，甚至可以把障碍物摧毁。;位错塞积的结果;;应用：沉淀强化
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