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GaN系量子阱器件的研究进展
第 38 卷 第 6 期 2001 年 12 月 半导体情报 13
GaN 系量子阱器件的研究进展
李嘉炜, 王 宇, 叶志镇
(浙江大学硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027)
摘要: 介绍了在蓝宝石衬底和 ( ) 量子阱 和
ELO G 外延横向过生长 衬底上生长的 InGaN L ED LD
结构, 并描述了L ED 和LD 的器件应用。
关键词: 量子阱; 发光二极管; 激光二极管; ELO G
中图分类号: TN 3042+ 3 文献标识码: A 文章编号: (2001)
-
Research advances in GaN ba sed QW dev ices
, ,
L I J ia w ei W AN G Yu YE Zh i zhen
(S tate K ey L aboratory of S ilicon M aterials , Z hej iang U niversity , H ang z hou 310027, Ch ina)
: ( )
Abstract InGaN single quan tum w ell SQW structu re L ED s and InGaN m u lti quan tum w ell
( )
M QW structu re LD s grow n on the sapph ire sub strate and ELO G sub strate are in troduced in
th is paper. A nd the device app lication s are described also.
Keywords: QW ; L ED ; LD ; ELO G
A kasak i 等人首次报道了用低能电子束照射
1 引 言
(L EEB I) 掺M g 的GaN 得到了低阻p 型 GaN , 两
近几年来, 人们对用发光区域覆盖紫外光到红 年之后N akam u ra 等人报道了利用在以 GaN 为缓
外光的 族氮化物化合物半导体 ( ) 制 冲层而得到的p 型 GaN 膜, 并第一次制造出了pn
A lInGaN
造短波发光二极管 (L ED ) 和激光二极管 (LD ) 产 结蓝光L ED [ 1 ]。1992 年又研究出了 InGaN 的外延
[ 2 ]
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