InGaNGaN单量子阱绿光发光二极管.pdf

　第 21 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 21, . 7 V o l N o 　2000 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 2000 单量子阱绿光发光二极管 InGaN GaN 王晓晖　刘祥林　陆大成　袁海荣　韩培德　汪　度 ( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学开放实验室, 北京　100083) 摘要: 采用金属有机物气相外延方法, 研制了 单量子阱结构的绿光发光二极管. 测 InGaN GaN 量了其电致发光光谱, 及发光强度与注入电流的关系. 室温 20 的注入电流时, 发光波长峰值 mA 为 530 , 半高宽为 30 . 注入电流小于 40 时, 发光强度随注入电流单调递增. nm nm mA 关键词: 单量子阱; 绿光L ED ; M OV PE : 6865; 7865; 8115 PACC H 中图分类号: TN 312+ 8　　文献标识码: A 　　文章编号: (2000) - InGaN GaN Single Quan tum W ell Structures Green L ight Em itting D iodes , , , , W AN G X iao hu i L IU X iang lin LU D a cheng YUAN H ai rong HAN Pei de and W AN G D u ( , , L aboratory of S em icond uctor M aterials S cience Institu te of S em icond uctors T he Ch inese A cad emy of S ciences, B eij ing 　100083, Ch ina) Received 21 A p