ZnO压电薄膜的制备与性能表征许恒星.pdf

　 38 4 　 　　　　　　　　人　工　晶　体 　学 　报　　　 　　　　　Vo.l38　No.4 　 2009 8 　　　　　　　　 JOURNALOF SYNTHETICCRYSTALS　　　　 　　 Augus,t2009 ZnO 许恒星,王金良,唐　宁,彭洪勇, 范　超 (, 100 19 1) :(100 ) ZnO。 (RD)、 (AFM)、(PFM), 。: ZnO , c, c ZnO。 :ZnO;;; :O484 　 　 :A 　 　 :1000-985 (2009 )04-0880-04 PreparationandCharaterizationofZnOPiezoeletricFilm UHeng-xing, WANGJin-liang, TANGNing, PENGHong-yong, FANChao (SchoolofPhysicsScienceandNuclearEnergyEngineering, BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautic,sBeijing100 19 1, China) (Received26 December2008, accepted20 February2009) Abstrac:tZnO filmswerepreparedonSi(100 )substratesbyRFmagnetronsputteringproces.s Composition,ssurfaceappearanc,eandpiezoelectricitywerestudiedbyRD, AFMandPFM.Theresults indicatethatthepreparedZnOfimlhasexcellentpiezoelectricity.Thepiezoelectricityofthefilmisstrongly dependentonthecaxisorientationandsurfaceroughnes.sThesamplewithsmoothersurfaceandastrongly preferredorientationofcaxisshowsabetterpiezoelectricity. Keyword:sZnOfilm;RFmagnetronsputtering;piezoelectricity;surfaceroughness 1　引　　言 3 ZnOⅡ-Ⅵ, , 5.67 g/cm, a=0.32496 nm, c= 0.52065 nm。 3.3 eV,。 ZnO 60 meV, [1] ,, 。 , ZnO, ZnO 。 ZnO, c ZnO , , [2 -5] 。 ZnO。、、; ,,, , 。, 　　:2008-12-26;:2009-02-20 　　: (NoNo 　　: (1985-), , , 。 E-mai:ltidus1217@163.com 　 4 :ZnO 　　88 1 [6] ,, 。 ZnO, ZnO。 2　实　　验 , ZnO。99.999%, 90 mm, (Ar)(O) 2 ∶1。, 2 1.5 Pa2 Pa。 200 W 300 W。。