功率VDMOS器件的研究与发展.pdf

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功率VDMOS器件的研究与发展

功率VDMOS器件的研究与发展 , , , , , 杨法明 杨发顺 张锗源 李绪诚 张荣芬 邓朝勇 ( , ) 贵州大学 理学院 电子科学系 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳 550025   : ( ) 。 摘要 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管 VDMOS 的研究现状和发展历史 针对功率 , ( VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾 重点介绍了几种新型器件结构 包括沟槽栅 、 、 ) , VDMOS 超结 VDMOS 半超结 VDMOS 的工作原理和结构特点 以及其在制造工艺中存在 。 。 ( 的问题 对不同器件结构的优缺点进行了比较分析 对一些新型衍生结构 包括侧面多晶硅栅 、 ) , VDMOS 边氧沟道VDMOS和浮岛 VDMOS 的特点进行了分析 叙述了新型 SiC材料在 VD - , 。 MOS 器件中应用的必威体育精装版进展 并指出了存在的问题和未来发展趋势 : ; ( ); ; ; 关键词 功率器件 垂直双扩散功率场效应晶体管 VDMOS 击穿电压 导通电阻 SiC材料 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386.1 A 1671-4776 2011 10-0623-07     ResearchandDevelo mentofPowerVDMOSDevices     p         , , , , , Yan Famin Yan Fashun Zhan Zhe uan LiXuchen Zhan Ron fen Den Chao on g g g g y   g g g g y g           ( , Ke Laborator o Micro NanoElectronicsandSo twareTechnolo o GuizhouProvince y y f -       f   gy f  

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