半导体蓝绿激光器的发展现状.pdf

第 18 卷第 4 期 半 　导 　体 　光 　电 Vol. 18 No. 4 1997 年 8 月 Semiconductor Optoelectronics Aug. 1997 半导体蓝绿激光器的发展现状① 宋登元　王秀山② (河北大学 ,保定 071002) 摘 　要 : 　近年来短波长半导体蓝绿激光器的研究取得了引人瞩目的进展。文 章介绍了利用 ZnSe 和 GaN 两大材料系制备蓝绿激光器必须解决的关键技术问题 , 以及蓝绿半导体激光器目前的发展现状。 关键词 : 　半导体激光器 　ZnSe 　GaN 中图法分类号: 　TN248. 4 Recent progress in research on semiconductor bluegreen laser diodes SON G Dengyuan WAN G Xiushan ( Hebei University , Baoding 071002 ,CHN) Abstract :Great pro gress in shortwavelength semiconductor bluegreen laser diodes has been made in recent years. Major problems neaded to be solved for making these laser diodes from ZnSebased Ⅱ Ⅵmaterials and GaNbased Ⅲ Ⅴcompounds are dis cussed. Furthermore ,recent development in this field is presented. Keywords :Semiconductor Laser ,ZnSe , GaN 1 　引言 带隙的半导体材料来实现。经过人们长期的 探索 , 已经找到一些适合于制备蓝绿激光器 由于短波长半导体蓝绿激光器在高密度 的半导体材料 ,主要包括 Ⅱ- Ⅵ族 ZnSe 材料 信息的读写、水下通讯、激光打印、生物及医 系列 , Ⅲ- Ⅴ族 GaN 材料系列 , 以及 Ⅳ- Ⅳ 学工程等方面存在着巨大的应用市场 ,所以 族中的 SiC 等。近年来 ,在利用这些材料研 近年来国际上围绕蓝绿半导体激光器的研制 制蓝绿激光器的过程中 , 由于 ZnSe 和 GaN 和商品化的竞争日趋激烈 ,最近能在室温下 蓝绿激光器制备的关键技术已取得了重要突 工作的半导体蓝绿激光器已经问世。 破 ,所以在用它们制备激光器方面有长足的 由于蓝绿激光器的波长短,要求使用宽 进步 , 已形成了“两雄”争霸的局面。ZnSe 和 GaN 被 认为是两种最有前途的蓝绿激光器 的制备材料。本文综述了 ZnSe 和 GaN 蓝绿 ①1997 - 03 - 10 收稿 ;1997 - 06 - 20 定稿 ②现在北京广播电视大学工作 激光器的研究状况。 © 1995-2004 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All right