金沉积烤瓷全冠（porcelain crowns with galvanized frames）.doc

金沉积烤瓷全冠（porcelain crowns with galvanized frames） 金沉积烤瓷全冠（金沉积烤瓷全冠）是指通过特殊的电镀仪，利用电解沉积原理，在预备体模型上离析出含99.9%纯金的金沉积冠，再在其表面进行烤瓷的修复体。 一、金沉积烤瓷全冠的发展 由于金属烤瓷全冠的合金成分易以离子形式溶于电解液，具有潜在的毒性，在口腔内常引起局部的物理变化和病理反应，给患者带来金属引起的疾病。因此，人们试图从美学、生物相容性及牙龈组织健康的角度寻找一种可以代替金属烤瓷全冠的理想修复体。今天，单个牙的修复体最重要的新发展就是金沉积烤瓷全冠。下面主要以德国威兰德贵金属制品有限公司（FA。Wieland）的AGC（金沉积烤瓷冠）技术为主，概括介绍电镀沉积技术制作金沉积冠的发展过程。 电镀沉积技术从150年前即开始被认识，逐步用在工业和首饰业中。 1961年罗杰斯和阿姆斯壮把电镀沉积技术引用到口腔领域，第一次制作出嵌体。1983年，platamic电镀沉积中心创建，但规模庞大且价格昂贵。1986年，AGC电镀沉积系统成立，第一次有了桌上小型电镀仪，前后牙冠的制作应用进一步扩大。1994年出现agc-5-process电镀仪（FA。Wieland）。1996年出现AGC微电镀仪（FA。Wieland）。1997年出现AGC微加电镀仪（FA。Wieland）。1998年出现AGC速度电镀仪（FA。Wieland）。 二、金沉积烤瓷全冠的优点 1。良好的边缘封闭：一般来讲，冠边缘缝隙若小于50μm，临床上可得到持久的修复效果。采用电镀沉积技术制作的金沉积烤瓷全冠，烤瓷烧结熔附前后冠边缘缝隙在19～60μM［1-5］；而采用传统铸造工艺制作的修复体往往存在边缘密合度差的问题，其边缘缝隙一般在50～200 2。美观：传统的金属烤瓷全冠在口内戴用一段时间后，龈缘往往可见一暗灰色的金属边；有时在刚粘固后，由于龈缘薄也能透出金属边。而金沉积烤瓷全冠含99.9%的电离析纯金，边缘为金黄色，表现出很好的美学效果。 3。良好的生物相容性：因纯金的电化学惰性而具有抗腐蚀性，使组织很少有过敏反应。传统的金属烤瓷全冠通过合金成分（如在、GA、锌、Fe）的氧化来增强金属与烤瓷的结合；而金沉积烤瓷全冠是通过一种由金粉和瓷粉微粒混合形成的金结合剂--金泥来增强其结合这样，金在两者结合中作为唯一的金属成分而具有良好的生物相容性。 4。保护牙髓：金沉积冠的厚度一般为0.2毫米、1.5毫米1～在这类冠上进行厚的烤瓷修复，与传统的金属烤瓷全冠相比，减少了牙体预备量，有利于保护活髓牙。 5。 High strength: the strength of the porcelain fused to metal crown is manifested in the fracture resistance of the porcelain, the bonding power of the gold fused crown and the porcelain, and the strength of the gold crown itself, and the key is the combination of metal and porcelain. Many experimental studies 6, 7 showed that the gold deposition porcelain crown on anterior teeth cut end pressure load, the determination of the fracture load values were greater than 150 N (in the anterior region the average masticatory force is 100 ~ 150 N); gold deposition porcelain fixed bridge on the posterior 3 the unit (two abutments for copings, intermediate bridge for high gold alloy casting, the surface of the ceramic repair welding into one after) pressure by the determination of the rupture load value of the average of 1413 + 291 N (the limit load of mouth posterior fixed bridge minimum value is 1000 N