LED晶片制程幻灯片.ppt

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。 其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。 表面清洗—有机溶液清洗机（ACE→Dip IPA → QDR → Hot N2） 蒸镀CrPtAu—电子束蒸发台 光刻 匀胶(涂布机) 负胶 烘片(恒温热板炉) 曝光(曝光机) 显影(显影化学台) Lift off—金属剥离，蓝膜 扫胶、清洗—等离子去胶/机冲洗甩干机 合金-2—高温合金炉 PN Pad 扫胶、清洗—等离子去胶机/冲洗甩干机 Substrate N--GaN P--GaN mask UV ITO Blue tape ITO ITO Gr Pt Au Substrate N--GaN P--GaN ITO ITO ITO ITO 淀积SiO2—等离子体气相淀积仪 光刻 SiO2刻蚀—有机溶液清洗机 光刻胶去除—酸性溶液清洗机 （去胶液（新/旧）→ACE（新/旧） → IPA → DI Water） 匀胶(涂布机) 负胶 烘片(恒温热板炉) 曝光(曝光机) 显影(显影化学台) SiO2 UV mask 光刻胶使用正胶还是负胶，也是具有选择性的。要根据 正、负光刻胶的性质（正胶容易去掉但厚度不够，不宜用于做 剥离；负胶不容易去掉但厚度好，可以做剥离。)以及制程工艺 的方便、经济等原则来选择。 前工艺后进入中测系统--IPQC IPQC（In-Process Quality Control） 1、外观检测 这一片前工艺做的较 好的wafer。 芯片P、N极的颜色 较好，ITO均匀并且 无伤痕，保护电极的SiO2也未见明显脱落。 IPQC有两个主要作用：1、利于生管下单；2、给外延以反馈。 1）贴膜测试： 由于白膜的粘附性更好，所以用白膜去做贴膜测试。 若掉电极的面积大于Pad的3%，则Rework. IPQC（In-Process Quality Control） 2、对电极附着力的检测 IPQC（In-Process Quality Control） 2）电极拉力测试： 贴膜测试过后，要进行电极拉力测试。 一般用P-P，N-N的拉力测试方式。用金钱拉，把金线拉断为止， 拉力达到8g以上则电极附着力较好。 直径为1um (或2um)的金钱 P-P拉电极测试方式 N-N拉电极测试方式 IPQC（In-Process Quality Control） 3、电性参数（点测机） Vf （正向电压） Iv （亮度） Vf1＠20mA Vf3＠10uA Vf2＠5mA Vf4＠1uA Ir （逆向电流） Iv ＠20mA Ir ＠-5V(-7V) IPQC（In-Process Quality Control） 4、光学参数（点测机） Wd （主波长） ＠20mA Wp(峰值波长) ＠20mA Wc(中心波长) ＠20mA Hw(半波宽) ＠20mA Wd通常用来表示鲜艳度。 Wp通常用于波形比较对称的 单色光检测。 Wc一般用于配光曲线法向方向附近 凹进去的、质量不好的单色管的检测。 带宽越小，则颜色越纯。 后工艺制程 正规品后工艺制程 研磨、抛光、切割 目检 点测(全点测) 分选 包装、标签 成品COT（方片） 研磨、抛光、切割 研磨、抛光、切割工序，主要是对芯片进行减薄和分割。 芯片被从厚片研磨成薄片时，亮度会有一些变化。比如蓝光 的亮度会降到80%，而绿光会降到70%。 抛光能减小wafer的应力并且使wafer更平整，但是对于wafer 的出光却没有好处。背面粗化和背铝工艺能增加出光。 研磨的流程：上蜡→研磨→抛光→下蜡→清洗→烘烤→粘片 →划片→裂片→扩张 下面主要介绍一下研磨、抛光、切割工序。 研磨、抛光、切割 1、研磨 主要技术参数: Wheel R.P.M:650rpm Work R.P.M:400rpm Feeding Speed:0.5μm/s Vacuum:87±5KPa 空压:0.5±0.1MPa 研磨机TECDIA TEG-2005 工作仓 控制面板 利用钻石砂轮对wafer背面进行磨擦，使wafer的厚度减薄。它 是通过设置减薄wafer的厚度来控制。 研磨、抛光、切割 1、研磨 430um Substrate N--GaN P--GaN ITO 一次研磨后 Substrate N--GaN P--GaN ITO 230~250um Substrate N--GaN P--GaN ITO 10