FET电流源电路用T代替R.PPTVIP

* * * * * 《电子技术基础》 模拟部分 （第六版） 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 7 模拟集成电路 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电 路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.1.1 FET电流源电路 7.1.2 BJT电流源电路 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 T1、T2的参数全同 只要满足 VGS VTN 必有 VDS1 VGS-VTN T1一定工作在饱和区 又因为 VGS2 = VGS1 = VGS T2漏极接负载构成回路后，只要满足VDS2 VGS-VTN ，就一定工作在饱和区，且有 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 再根据 便可求出电流值 IO的电流值与Rd无关 Rd的值在一定范围内变化时（VDS2 VGS-VTN），IO的电流值将保持不变，反映出IO的恒流特性。 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 （?=0） 动态电阻(交流电阻) 电流源是双口网络还是单口网络？ 7.1.1 FET电流源电路 用T3代替R，T1~T3特性相同 1. MOSFET镜像电流源 T1~T3便可工作在饱和区 由于 所以 只要满足 输出电流为 7.1.1 FET电流源电路 动态电阻更大，恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 需要注意，T4漏极接负载构成回路后，需要满足 7.1.1 FET电流源电路 3. 组合电流源 除宽长比外，T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 需保证所有管子工作在饱和区 7.1.1 FET电流源电路 4. JFET电流源 JFET是耗尽型管，所以VGS=0时工作在饱和区 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源 7.1.2 BJT电流源电路 Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反映出IC2的恒流特性。 T1、T2的参数全同 1. 镜像电流源 7.1.2 BJT电流源电路 动态电阻 一般ro在几百千欧以上 1. 镜像电流源 7.1.2 BJT电流源电路 其他形式 1. 镜像电流源 7.1.2 BJT电流源电路 由于 很小， 所以IC2也很小。 ro≈rce2（1＋ ） （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 ） 2. 微电流源 7.1.2 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻高 7.1.2 BJT电流源电路 T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源 4. 组合电流源 * * * * *