MOCVD反应室温度均匀性的研究-发光学报.PDFVIP

第３８卷　 第２期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ２ ２０１７年２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｆｅｂ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０２￣０２２０￣０６ ＭＯＣＶＤ反应室温度均匀性的研究 １ꎬ２ ∗ ２ ２ ２ 徐龙权 ꎬ方　 颂 ꎬ唐子涵 ꎬ刘新卫 (１. 南昌大学 国家硅基ＬＥＤ工程技术研究中心ꎬ江西 南昌　 ３３００４７ꎻ ２. 南昌大学 信息工程学院ꎬ江西 南昌　 ３３００３１) 摘要:为研究一种有效提高ＭＯＣＶＤ反应室温度均匀性的方法ꎬ针对自主研发的大型立式ＭＯＣＶＤ反应室ꎬ 建立二维模型ꎬ就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析ꎮ 为提高温度均匀性ꎬ通过改变不同电参 数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化ꎬ发现电参数与加热效率成正比ꎬ但是与加热的均匀性成反比关 系ꎻ在相同功率下ꎬ电流频率上升将导致温度均匀性下降ꎮ 以上关系中反映出的合理的电参数ꎬ在保证反应 温度的同时ꎬ保证了温度均匀性ꎬ有利于薄膜生长ꎮ 关　 键　 词:ＭＯＣＶＤꎻ感应加热ꎻ温度均匀性 中图分类号:ＴＮ３０５　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０２２０ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｈｅａｔｉｎｇ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ ｏｆ ＭＯＣＶＤ Ｈｅａｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ １ꎬ２∗ ２ ２ ２ ＸＵ Ｌｏｎｇ￣ｑｕａｎ ꎬＦＡＮＧ Ｓｏｎｇ ꎬＴＡＮＧＺｉ￣ｈａｎ ꎬＬＩＵ Ｘｉｎ￣ｗｅｉ (１. Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＬＥＤ ｏｎ ＳｉＳｕｂｓｔｒａｔｅꎬＮａｎｃｈａｎｇ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ ３３００４７ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＮａｎｃｈａｎｇ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ ３３００３１ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｘｕｌｏｎｇｑｕａｎ＠ｎｃｕ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｕｎｉｆｏｒｍｉｎｔｈｅｒｅａｃｔｉｏｎｃｈａｍｂｅｒｏｆ ＭＯＣＶＤꎬｔｈｅｔｗｏ￣ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｍｏｄｅｌ ｗａｓ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ｖｅｒｔｉｃａｌ ＭＯＣＶＤ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ ｂｙ ｏｕｒｓｅｌｖｅｓ. Ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｆｉｎｉｔｅ ｅｌｅｍｅｎｔ ｍｅｔｈｏｄꎬｔｈｅ ｉｎｃｅｎｔｉｖｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｎ ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｃｈａｍｂｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｗａｓａｎａｌｙｚｅｄ. Ｆｏｒｐｕｒｐｏｓｅｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙꎬｔｈｅｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃｆｉｅｌｄ ａｎｄ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｄｉｓｋ ｓｕｒｆａｃｅｒａｄｉａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｗｅｒｅ ｏｂｓｅｒｖｅｄｂｙ ｃｈａｎｇｉｎｇｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ａｎｄ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ. Ｉｔ ｉｓ ｆｏｕｎｄ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｉｓ ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｔｏ ｔｈｅ ｈｅａｔｉｎｇ ｅｆｆｉ￣