关于征集十三五高新技术产业重大专项平台-武汉东湖新技术开发区.DOC

附件1： 产业发展重点大纲 1、光电子信息 （1）发展思路 跟踪和把握全球光电子和互联网产业发展趋势，以提升光电子信息产业核心竞争力、推动产业融合创新为核心，重点发展光通信、集成电路、激光、新型显示、智能硬件、电子元器件等领域，加强核心材料及关键设备开发，提高基础工艺水平，突破产业关键技术及瓶颈技术，推进重大创新成果产业化，形成一批国际领先的技术创新成果，壮大一批具有全球影响力的领军型企业，打造全球领先的光电子信息产业集群。到2020年，光电子信息产业完成增加值**亿元。 （2）发展重点 光通信：加快推进低成本、无氯环保VAD+OVD生产工艺大尺寸光纤预制棒制备及关键设备国产化，重点开发超低损耗通信光纤，以及多种应用领域的特种光纤；提升高端光器件和光模块研发生产能力，以掌握自主知识产权为重点，重点突破高速光电芯片技术、光子集成和光电集成技术、片上光互联技术等；以“宽带中国”战略实施为契机，加强光传输、光接入、光交换设备研发，推动全光网络、5G、量子通信等新型通信技术及系统设备的研发生产。 集成电路：充分发挥国家和湖北集成电路产业基金的杠杆作用，重点支持武汉新芯建设中国存储器基地，推进3D-NAND和DRAM存储芯片制造量产化，以及各种先进存储器研发及先进工艺创新；加强对安全可靠的芯片设计方法研究和EDA工具开发，以应用需求为导向，重点支持移动智能终端芯片、网络通信芯片、北斗/GPS芯片、可穿戴设备芯片的设计生产，鼓励开发面向新业态、新应用的信息处理、传感器、新型存储等关键芯片；重点支持芯片级封装（CSP）、圆片级封装（WLP）、硅通孔（TSV）、三维封装等先进封装和测试技术的开发及产业化。 激光：加快激光器关键材料和核心器件突破，重点研发高功率、高光束质量的光纤激光器、半导体激光器、CO2激光器等，突破全固态超快激光器、碟片激光器等新型激光器关键技术；大力发展中高端激光设备及系统，开发基于航空航天、船舶、汽车及零部件应用的大幅面、大厚板、高速度激光焊接、切割成套设备以及电子工业激光精密微细加工系统、激光柔性制造系统等；加强激光应用工艺开发，鼓励企业开展激光加工、激光诊疗、检测等激光应用服务。 新型显示：重点发展TFT-LCD面板制造及配套产业，着力构建完整TFT-LCD产业链；重点推进OLED核心和产业化技术突破，大力推进华星光电第6代LTPS/AMOLED显示面板生产线、武汉天马第6代LTPS显示面板生产线等重大项目建设，加快OLED在中小尺寸新兴领域的应用；培育LCOS激光显示、3D显示、互动投影显示、电子纸显示等新型显示产品，加快新兴显示技术产业化。推进高效能LED的材料、设备、芯片、封装等环节的核心技术开发，支持UV LED产品研发和产业化。 智能硬件：进一步巩固智能手机、平板电脑、智能电视等智能终端产品优势，突破智能终端操作系统、芯片等关键技术，开发新型移动智能终端设备、新型软件等，加快产品更新换代；面向信息娱乐、运动健身、医疗健康等应用领域，发展头盔、挂件、眼镜、腕表、手环、穿戴式外骨骼等可穿戴设备；培育发展智能照明、智能电视、智能空调、智能冰箱等智能家电产品，以及智能电器控制、安防报警等智能家居产品。 电子元器件：加快发展多功能和多变量检测的智能化传感器、MEMS传感器、质量流量控制器用传感器等，重点突破高可靠性汽车传感器、环境检测传感器、高性能高灵敏度红外传感器，以及湿敏电阻、湿敏电容、气敏元件、高精度微型热敏元件等敏感元件。发展细导线化、窄间距化的PCB板制造，提升高密度印刷线路板加工水平，发展图形制造、孔加工和表面涂覆、检测等新技术和新工艺。 （3）实施要点 关键/共性技术突破 重点突破多工艺光纤预制棒制备技术，25G/100G/400G光收发模块及核心光电子器件与光芯片技术，5G关键技术，3D NAND存储器芯片制造及相关工艺技术，万瓦级高功率光纤激光器、气体激光器、半导体激光器、碟片激光器等激光器关键技术，柔性OLED显示关键技术，高精度微型薄膜封装热敏电阻元件技术等。 产业化和应用示范 开展光进家庭、光制造、光进园区等示范应用工程。实现3D-NAND存储芯片量产及指标，先进存储芯片制造的研发和应用示范等。推进本地激光加工设备、激光器在钢铁、汽车、钣金、核电、动力电池等宏观加工领域，以及在半导体、手机、电脑、太阳能电池等微观加工领域的应用示范。推进智能家居安全设计，推进高精度微型热敏电阻在高温燃气灶具、燃气热水器等领域产业化应用。 创新平台建设 充分发挥光电国家实验室作用，推进光电工研院等共性技术服务平台建设，加快完善中试孵化、产业人才培养等功能，提升市场化服务能力。建立国家存储研究中心。加强与国内外技术先进组织机构的交流合作，围绕光器件、集成电路、激光、智能硬件、传感器等领域新建一批国际化创新平台