UVLIGA技术在多层微结构制备中的工艺研究.pdf

第3 1卷第5 期 压 　电　与 　声 　光 Vol . 3 1 No . 5 2009年10月 PIEZO EL EC TR ICS A COU STOO P TICS Oct . 2009 文章编号 (2009) 　　 UVL IGA 技术在多层微结构制备中的工艺研究 朱 　军 ,汪 　红 ,陈　翔 ,陈　迪 ,刘景全 (上海交通大学 微纳科学技术研究院 ,上海 200030) 　　摘 　要 :U VL I GA 技术在制备多层复杂微结构时存在如何确保多层套刻对准精度 ,尺寸控制精度及层间良好 结合的问题 。该文对这些问题进行了分析与实验研究 ,实验证明 ,弱曝光是产生层间位移 ,影响套刻精度的原因之 一 ,减少曝光所产生的应力应以不发生位移为前提 ; 降低升降温速率能有效降低应力 ,提高层间结合性能 ,从而减 少图形位移 ,确保套刻对准的精度 。 关键词 :U VL I GA ;多层 ;套刻精度 ;曝光 ; 中烘 中图分类号 : TN 305 . 7 　　　文献标识码 :A The Process Study of UVL IGA on the Manufacture of Multilayer MEMS Structure ZHU Jun , WANG Hong , CHEN Xiang , CHEN Di ,L IU Jingquan ( Research In stit ut e of Micro/ nano Science and Technology ,Shanghai J iaotong U niver sit y , Shanghai 200030 ,China) 　　Abstract : The alignment p reci sion of multilayer micro st ruct ure and t he adhesion are t he main two p roblem s when t he multilayer complex micro st ruct ure i s manufact ured by U VL I GA t echnolo gy . The two p roblem s are ana lyzed and exp eriment ally st udied in t hi s p ap er . Exp eriment s reveal t hat t he reduction of t he t emp erat ure gradient i s benefit to t he reduction of st ress and t he p romotion of adhesion , so it i s effective to p romot e t he align p reci sion . Key words : U VL I GA ;multilayer ;alignment p reci sion ;expo sure ; softbake 　 ( ) 　　微电子机械系统 M EM S 技术是一项在微电 M EM S 微结构不仅可提高可加工器件的高度 ,且可 子技术基础上发展起来的 ,又有别于微电子技术的 加工结构复杂性的器件 ,有助于进一步拓宽 M EM S 多学科交叉的新的技术领域 。正因为它具有力学及 技术的应用领域 。通常采用多次光刻 、电镀的方法 机械等新的学科内容 ,能满足现代技术微型化 、集成