光敏传感器的光电特性研究..doc

光敏传感器的光电特性研究 (FB815型光敏传感器光电特性实验仪) 实 验 讲 义 FB815型光敏传感器光电特性设计性实验仪 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量，如光强、光照度等；也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的，则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化因此也是属于内光电效应范畴本实验所涉及的光敏电阻即是内光电效应传感器。 通过本实验可以帮助学生了解光敏电阻的光电特性及在某些领域中的应用。 【实验目的】 1.了解光敏电阻的基本特性，测出它的光照特性曲线；2.了解硅光电池的基本特性，测出它的光照特性曲线。 【实验仪器】 型光敏传感器光电特性设计性实验仪，其结构如图所示。该实验仪由光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池四种光敏传感器及可调电源、电阻箱（用户自备）、数字万用表，九孔接线板与光学暗箱所组成。具体介绍如下。 1.光学暗箱(见图2)： 光学暗箱的大小为360×280×110 mm3，中间位置是九孔实验板，学生可以在上面按自己的需要搭建实验电路，在箱子的左里边有编号L1, L2, …L8的接线孔，从里面直接连到箱子左侧的外面，实验时将外用电源，测量万用表及变阻箱通过不同的接线口接入箱里的实验电路，当箱子密封以后，里面就与外界完全隔绝，工作时照明光路是置于暗箱中进行，从而消除杂散光对实验的影响。图2是暗箱结构示意图。 2 . JK--30工作电源(见图3)： 本实验仪配有工作电源，图为专用电源面板功能分布图。主要提供两路工作电压，一路光电源输出，供白帜灯发光，电压0～12V连续可调。另一路传感器工作电源，有档可选，以保证实验的不同需要。光敏传感器的照度可以通过调节光电源的电压或改变光源与传感器之间的距离来调节。 3. 其实验配件(见图4)： 【实验原理】 1．光电效应： （1）光电导效应： 当光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 （2）光生伏特效应： 在无光照时，半导体结内部有自建电场。当光照射在结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场的作用，电子漂移到区，空穴漂移到区。结果使区带负电荷，区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。 2．光敏传感器的基本特性： 光敏传感器的基本特性则包括：伏安特性、光照特性等。 伏安特性： 光敏传感器在一定的入射光照度下，光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 光照特性： 光敏传感器的感光灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。 掌握光敏传感器基本特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。本实验主要是研究光敏电阻和硅光电池的基本特性。 3. 光敏传感器简介 （1）光敏电阻 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前光敏电阻应用的极为广泛，其工作过程为，当光敏电阻受到光照时，发生内光电效应，光敏电阻电导率的改变量为： （1） 在（1）式中，为电子电荷量，Δ为空穴浓度的改变量，Δ为电子浓度的改变量，μ表示迁移率。当两端加上电压后，光电流为： （2） 式中为与电流垂直的表面积，为电极间的间距。在一定的光照