CMOS–step3制作闸极(Poly层).PPT

CMOS製程 二技晶片四甲陳韋廷 何謂CMOS ＣＭＯＳ 英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補性氧化金屬半導體 一種積體電路製程，可在矽晶圓上製作出PMOS（P-channel MOSFET）和NMOS（N-channel MOSFET）元件，由於PMOS與NMOS在特性上為互補性，因此稱為CMOS CMOS –step 1 程作 N-Well 區域 生長氧化層 上光阻 CMOS –step 1 程作 N-Well 區域 生長氧化層 上光阻 光阻成像 NWELL 光罩 只曝光 n-well 區域 CMOS –step 1 程作 N-Well 區域 生長氧化層 上光阻 光阻成像 NWELL 光罩 只曝光 n-well 區域 蝕刻 氧化層 移除光阻 CMOS –step 1 程作 N-Well 區域 生長氧化層 上光阻 光阻成像 NWELL 光罩 只曝光 n-well 區域 蝕刻 氧化層 移除光阻 將n型雜質由氧化層空窗擴散進入基板 CMOS –step 2 製作作用區 沉積 SiN 沉積光阻在SiN之上 CMOS –step 2 製作作用區 沉積 SiN 沉積光阻在SiN之上 光阻成像 *ACTIVE 光罩 CMOS –step 2 製作作用區 沉積 SiN 沉積光阻在SiN之上 光阻成像 *ACTIVE 光罩 將曝光的SiN蝕刻移除 移開 SiN 光罩 CMOS –step 2 製作作用區 沉積 SiN 沉積光阻在SiN之上 光阻成像 *ACTIVE 光罩 將曝光的SiN蝕刻移除 移開 SiN 光罩 移除光阻 生長場氧化層 (FOX) 熱式氧化法 CMOS –step 2 製作作用區 沉積 SiN 沉積光阻在SiN之上 光阻成像 *ACTIVE 光罩 將曝光的SiN蝕刻移除 移開 SiN 光罩 移除光阻 生長場氧化層 (FOX) 熱式氧化法 移除SiN CMOS –step 3 製作閘極(Poly層) 生長閘極薄氧化層 全晶片生長 對FOX區域的影響可忽略 CMOS –step 3 製作閘極(Poly層) 生長閘極薄氧化層 全晶片生長 對FOX區域的影響可忽略 沉積 Polysilicon 沉積光阻 CMOS –step 3 製作閘極(Poly層) 生長閘極薄氧化層 全晶片生長 對FOX區域的影響可忽略 沉積 Polysilicon 沉積光阻 光阻成像 *POLY 光罩 曝光的Poly蝕刻移除 CMOS –step 3 製作閘極(Poly層) 生長閘極薄氧化層 全晶片生長 對FOX區域的影響可忽略 沉積 Polysilicon 沉積 光阻 光阻成像 *POLY 光罩 曝光的Poly蝕刻移除 蝕刻/移除氧化層 閘極下的氧化層被poly保護住 CMOS –step 4 製作 pmos S/D 上光阻 CMOS –step 4 製作pmos S/D 上光阻 光阻成像 *PSELECT 光罩 CMOS –step 4 製作pmos S/D 上光阻 光阻成像 *PSELECT 光罩 摻雜p型雜質 移除光阻 CMOS –step 5 製作nmos S/D 上光阻 CMOS –step 5 製作nmos S/D 上光阻 光阻成像 *NSELECT 光罩 CMOS –step 5 製作nmos S/D 上光阻 光阻成像 *NSELECT 光罩 摻雜n型雜質 移除光阻 CMOS –step 6 製作Contacts 沉積 氧化層 沉積 光阻 CMOS –step 6 製作Contacts 沉積 氧化層 沉積 光阻 光阻成像 *CONTACT 光罩 作用區及閘極用同一個光罩 CMOS –step 6 製作Contacts 沉積 氧化層 沉積 光阻 光阻成像 *CONTACT 光罩 作用區及閘極用同一個光罩 蝕刻 氧化層 CMOS –step 6 製作Contacts 沉積 氧化層 沉積 光阻 光阻成像 *CONTACT 光罩 作用區及閘極用同一個光罩 蝕刻 氧化層 移除光阻 沉積 metal1 接觸點作完要立刻作，才不會長出天然氧化層 平坦化 CMOS –step 7 製作Metal 1 沉積 光阻 CMOS –step 7 製作Metal 1 沉積 光阻 光阻成像 *METAL1 光罩 CMOS –step 7 製作Metal 1 沉積 光阻 光阻成像 *METAL1 光罩 蝕刻 metal CMOS –step 7 製作Metal 1 沉積 光阻 光阻成像 *METAL1 光罩 蝕刻 metal 移除光阻 CMOS –step 8 製作Vias to Metal1 沉積 氧化層 Planerize 氧化層 沉積 光阻 CM