下限频率.PPT

* 第五章 放大电路的频率响应 5—1 频率响应概述 5—2※ 晶体管的高频等效模型 5—3 场效应管的高频等效模型 5—4※ 单管放大电路的频率响应 5—5 多级放大电路的频率响应 本章要求 （1）掌握以下概念：上限频率，下限频率，通频带，波特图，增益带宽积。 （2）能够计算放大电路中只包含一个时间常数的 fH 和 fL，并能画出波特图。 （3）了解多级放大电路频率响应与组成它的各级电路频率响应间的关系。 Rb Rc +VCC ui T + + uo C1 RL + UBEQ + UCEQ C2 + _ UBEQ IBQ ICQ _ _ _ _ 5—1　频率响应概述 不考虑C1、C2及晶体管结电容的影响 C1、C2 及结电容的存在 5.1.1 频率响应的基本概念 f f L f H -270° -225° -180° -135o -90° 与f 无关 1.频率响应的概念 2.通频带 通频带 5.1.2 频率失真 ui t ui t uo t uo t 基波 二次谐波 基波 二次谐波 Au1=10 Au2=5 幅频失真 t 相频失真 (通频带不够宽) 5.1.3 RC低通和高通电路的频率响应 1、高通电路 C R + - + - 则 因此 用幅值与相角表示，得出 幅频特性 相频特性 令回路的时间常数? ＝RC， 0.707 45° 90° 0° f ? 0 f fL 由此可见，频率愈低，衰减愈大，相移愈大； 1 只有当信号频率远高于fL时，　才约为　。 fL 称为下限截止频率，简称下限频率。 2、低通电路 令回路的时间常数?＝RC， C R + - + - 则 因此 用幅值与相角表示，得出 幅频特性 相频特性 0 ? 0° f f -45° 0.707 1 fH -90° 由此可见，频率愈高，衰减愈大，衰减愈大，相移愈大； 只有当信号频率远低于fH时，　才约 为　。 fH称为上限截止频率，简称上限频率。 90° 5.1.4 波特图 ——频率特性的横轴采用对数刻度 lgf ，幅频特性的纵轴采用 表示，单位是分贝（dB）；相频特性的纵轴仍用?表示。 1、高通电路的波特图 45° -3 0° ? 0 f f fL 10fL 0.1fL 2、低通电路的波特图 -45° -90° -3 fH 0° f ? 0 f 10fH 0.1fH 结论： （3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。 （1）电路的截止频率决定于电容所在回路的 时间常数?。 （2）当信号频率等于下限频率fL或上限频率 或-45°相移。 fH时，放大电路的增益下降3dB，且产生+45° + - + - + - rb’c C? rbb C? rce b e c b’ 5—2 晶体管的高频等效模型 5.2.1 晶体管的混合?模型 1、完整的混合?模型 c rbb b rbe re c e rb’c rc b e Cb’c’ (C?) Cbe’ (C?) + - + - + - C? rbb C? b e c b’ 2、简化的混合?模型 + - + - + - rbb C? b e c b’ + - + - + - rbb C’? b e c b’ + - + - + - C? rbb C? b e c b’ 3、混合?模型的主要参数 ——从半导体器件手册中可查得。 + - + - + - rbb C’? b e c b’ （低频） + - + - + - rbb b e c b’ 5.2.2　晶体管电流放大倍数　的频率响应 + - + - + - rbb C’? b e c b’ + - + - rbb C’? b e c b’ 0° -45° -90° f ? 20lg?０ f f? 10f? 0.1f? fT 5—4　单管放大电路的频率响应 5.4.1 单管共射放大电路的频率响应 1、中频电压放大倍数 Rb Rc +VCC uI T + - + - uo RL C2 Rs us + - C1 + - + - + - rbb C’? b e c b’ Rb Rc RL C2 Rs + - C1 2、低频电压放大倍数 + - Rc 输出回路等效电路 + - RL C + - Rc + - + - + - rbb b e c b’ Rb Rc RL C2 Rs + - 单管共射放大电路的低频等效电路 C1 一般，工程计算时，取f L1 + - + - + - rbb C’? b e c b’ Rb Rc RL C2 Rs + - C1 和f L2较大者作为下限截止频率。 rbb + - + - + - C’? b e c b’ Rb Rc RL Rs + - 单管共射放大电路的高频等效电路