山东天岳先进材料科技有限公司碳化硅单晶衬底-山东天岳晶体材料.PDF

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山东天岳先进材料科技有限公司碳化硅单晶衬底-山东天岳晶体材料

山东天岳先进材料科技有限公司 碳化硅单晶衬底 产品规格 4H 碳化硅单晶衬底 山东天岳先进材料科技有限公司 SICC ScienceTechnology Co.,Ltd. 地址:济南市高新区新泺大街2008 号 Add:Room 3-409 Yinhe Building No.2008 银荷大厦3-409 Xinluo Street High-tech District Jinan 电话:0531传真:0531 Tel:0531Fax:0531 网址:www.sicc.cc 邮箱:sales@sicc.cc Website:www.sicc.cc E-mail:sales@sicc.cc 碳化硅单晶衬底 产品种类 碳化硅单晶衬底 4H N-型、4H 半绝缘 物理性能 晶型 4H-SiC 晶体结构 六方 禁带宽度 ~3.2eV 热导率 ~4.9W/cm ·K 2 电子迁移率 ~ 1140cm /V ·s a~3.073Å 晶格常数 c~ 10.053 Å 莫氏硬度 ~9.15 应用  SiC 同质外延:大功率器件、高温器件  GaN 异质外延:高亮度LED 、高频微波器件、雷达、卫星通讯等  石墨烯 产品描述 产品型号 选项 S X X X X X — X A/B/C/D=翘曲度 0=On-axis

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