半导体物理第三章作业分析.ppt

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2017-08-25 发布于湖北
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半导体物理第三章作业分析.ppt

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半导体物理第三章作业分析

第三章作业 * * 7。(1)在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×1019 cm-3, Nv=1.05×1019 cm-3,试求锗的载流子有效质量。计算77K时的Nc,Nv.已知300K时Eg=0.67eV.77K时Eg=0.76eV.求着两个温度时的本证载流子浓度（2）77K时，锗的电子浓度为1017 cm-3 假定受主浓度为零，电离能为0.01eV,求施主杂质浓度？解：已知所以（2）77K时属于弱电离 8.利用7题的Nc和Nv的数值及Eg=0.67eV,求温度文300K，500K时，含施主浓度ND=5×1015 cm-3受主浓度NA=2×109 cm-3的锗中电子和空穴的浓度解： 300K时 500K时 *