模拟客观题(答案).doc

半导体器件 选择题 1、P型半导体中的载流子是 c 。 a. 空穴 b. 自由电子 c. 空穴和自由电子 d. 空穴和负离子 2、N型半导体中的自由电子浓度 a 空穴浓度。 a. 大于 b. 小于 c. 等于 d. 大于等于 3、本征半导体的载流子浓度随温度上升而变化，其中 c 。 a. 自由电子浓度增加，而空穴浓度不变 b. 空穴浓度增加，而自由电子浓度不变 c. 空穴和自由电子浓度以相同的规律和倍数增加 d. 空穴和自由电子浓度都不变 4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于　c　。 a. 温度 b. 掺杂工艺 c. 杂质浓度 d. 晶体缺陷 5、在杂质半导体中，少数载流子的浓度与　a　有很大关系。 a. 温度 b. 掺杂工艺 c. 杂质浓度 d. 晶体缺陷 6、当PN结外加正向电压时，扩散电流 　 c 漂移电流，耗尽层 c 。 a. 小于，变宽 b. 小于，变窄 c. 大于，变宽 d. 大于，变窄 7、三极管结构上的特点有 a 。 a. 发射区高掺杂 b. 基区薄、高掺杂 c. 发射结面积较大 d. 以上答案都不对 8、 三极管用来放大时，应使发射结处于 b 偏置，集电结处于 b 偏置。 a. 正向，正向 b. 正向，反向 c. 反向，正向 d. 反向，反向 9、晶体三极管的共发射极输出特性常用一族曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的 c 。 a. iC b. uCE c. iB d. iE 10、温度升高时，三极管的电流放大系数β c ，正向发射结电压UBE c 。 a. 减小，减小 b. 减小，增大 c. 增大，减小 d. 增大，增大 11、某晶体管的极限参数为PCM=150mW ，ICM=100mA ，U（BR）CEO=30V 。若它的工作电压UCE=10V ，则工作电流 IC 不得超过 c mA。 a. 100 b. 30 c. 15 d. 5 12、某晶体管的极限参数为PCM=150mW ，ICM=100mA ，U（BR）CEO=30V 。若它的工作电压UCE=1V ，则工作电流不得超过 b mA。 a. 150 b. 100 c. 15 d. 5 14、放大状态下，PNP型晶体三极管和N沟道结型场效应管中，参与导电的载流子，前者主要是 b ，后者主要是 b 。 a. 空穴，空穴 b. 空穴，电子 c. 电子，空穴 d. 电子，电子 15、晶体三极管属于 b 控制器件，场效应管属于 b 控制器件。 a. 电流，电流 b. 电流，电压 c. 电压，电流 d. 电压，电压 16、场效应管用于放大时，应工作在输出特性的 a 。 a. 饱和区 b. 截止区 c. 可变电阻区 d. 击穿区 判断题 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素获得。× 2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。× 4、PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。× 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。× 7、二极管方程可以描述二极管的正向特性和反向特性，也可以描述反向击穿特性。× 8、通常的晶体三极管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。× 9、通常的JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。 10、场效应管的突出优点是具有特别高的输入电阻。 小信号放大电路 选择题 1、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 b 。 a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2、某放大电路在负载开路时的输出电压为0.4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为0.3V，这说明放大电路的输出电阻为 c 。 a. 10K b. 2K c. 1K d. 0.5K 3、 对于基本共射放大电路，当Rb减小时，输入电阻Ri　b　。 a. 增大 b. 减小 c. 不变 d. 不能确定 4、对于基本共射放大电路，当Rc增大时，输出电阻Ro　a　。