BCD工艺技术.pptx

王晶楠;介绍; DMOS（Doublediffusion Metal-Oxide-Semiconductor）双扩散金属氧化物半导体。 DMOS管是采用双重扩散工艺，通过横向双重扩散的浓度差形成沟道的一种MOS管结构，有横向和纵向两种DMOS结构。;;图1为横向DMOS管示意图，通常，漏极被栅极所包围，漏区的形状为圆形或圆柱形或条形。 DMOS管沟道的形成是利用多晶硅栅做自对准，先扩P-well作为衬底，再扩N+作为源极，利用两次横向扩散的杂质浓度差，形成沟道。可以严格控制沟道长度低于1um（可得到很高的增益）。 在沟道和漏极之间有个轻掺杂的漂移区，其杂质浓度低于P阱的浓度（高阻层）。 多晶硅栅除了覆盖沟道外，还延伸到轻掺杂漂移区上，作为多晶硅场极板，其作用是降低PN结棱角处的电场强度。; 在P-衬底上进行N-外延，严格控制外延层的厚度和浓度，再在N-外延层制作LDMOS器件结构，如图2。 ???样的结构，削弱了表面电场，击穿电压取决于N-漂移区与P-衬底中空间电荷区的电场强度，击穿机构从表面变成了体内，从而使耐压大大提高。;;;;图5 高压PMOS管的结构图;LDMOS的主要参数： 1）高反压——取决于漂移区的掺杂浓度和厚度、PN节的几何形状和其终端结的技术。 2）电流容量——选择沟道长度、氧化层厚度、沟道宽度和元胞输。 3）导通电阻——取决于元胞数、外延层浓度和厚度及元胞的结构。 ;THANK YOU