chap.6金属与半导体接触.ppt

镜向力导致反向特性不饱和 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （2）隧道电流的影响: （a）隧道效应 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 决定隧道穿透几率的两个因素： （1）势垒高度 （2）隧道厚度 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （1）势垒高度 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 隧道效应导致反向特性不饱和 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 隧道穿透的临界厚度为xc， 当半导体一边的势垒厚度 xxc 时，势垒对电子完全透明 隧道 穿透 （2）隧道厚度 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （b）欧姆接触：I∽V（b1）金属-n型半导体欧姆接触  重掺杂阻挡层 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （b2）金属-p型半导体欧姆接触 反阻挡层 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 4、少子的注入： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 加上正向电压(金属一边为正)时： FLASH 动画 正偏压下外加电场对n型半导体的影响 加上反向电压（金属一边为负）时： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact FLASH 动画 负偏压下外加电场对n型半导体的影响 2、整流理论 （1）扩散理论 xdln时 （2）热电子发射理论 xdln时 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （1）扩散理论 xdln时，电子通过势垒区将发生多次碰撞。 势垒高度qVDk0T时，势垒区内的载流子浓度～0 耗尽区 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact VD Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （加上外加电压在金属上） 这种势垒宽度随外加电压的变化而变化的势垒就是Schottky势垒。 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 积分 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 讨论： Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact （2）热电子发射理论 xdln时，电子通过势垒区的碰撞可以忽略。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 热电子发射 Rectification Theory of Metal-Semiconductor Contact 假设qVDk0T 思路： (a) Js m (b) Jm s (c)J= Js m +Jm s Rectificatio