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CVD设备动力设施及施工要点.ppt

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CVD设备动力设施及施工要点

CVD厂务设施及施工要点 CVD含义 CVD功能与应用 CVD工艺原理 CVD系统组成 CVD厂务设施及施工要点 主讲人:程振洲 CVD是什么? CVD是一种制作工艺 英文全称:Chemical Vapor Deposition 简称:CVD 中文含义:化学气相沉积。 CVD有哪几种? PECVD 等离子增强化学气相沉积 LPCVD 低压化学气相沉积 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 APCVD 常压化学气相沉积 其它 CVD功能与应用 CVD功能: 保护器件表面 LED器件外延层生长 应用领域: 集成电路( PECVD/LPCVD/APCVD) TFT-LCD液晶显示(PECVD) 太阳能光伏(PECVD) LED( MOCVD) CVD应用领域 CVD工艺原理 原理:特种气体经过化学反应,生成物质沉积在 基片表面。 举例: SiH4+NH3→Si3N4+H2,硅烷与氨气经过化学反应,生成氮化硅。 CVD系统组成 反应腔室 气路系统 装载部分 真空系统 尾气处理 电气控制系统 CVD系统相关设备 LED MOCVD 装载部分 CVD反应腔室 CVD含义 CVD功能与应用 CVD工艺原理 CVD系统组成 CVD厂务设施及施工要点 CVD设备厂务设施需求示意图 CVD厂务设施需求 特气 :SiH4,NH3,PH3,AsH3,DCS,N2O等。 大宗气体:N2,H2 CDA:0.7MPa PCW: 0.4MPa 电 排废气: 上述特气及其反应生成物。 热排风 供水(Scrubber) 排废水(Scrubber) RO水(臭氧) 注:不同的CVD设备,厂务设施需求略有不同 特气施工要点 确保参与反应的气体干净 管道要求耐腐蚀,洁净度高 管道内部焊口光滑,不积尘 管道内部严防油污(包括人体手上的汗液油脂) 确保安全 焊接密封性好,不漏气 接头密封性好,不漏气 危险性气体用双套管 确保管道内无施工残渣颗粒,以防堵塞工艺设备MFC。 隔膜阀, VCR接头 MFC质量流量计结构 高纯N2施工要点 确保N2气体干净 管道要求内部洁净度高 管道内部焊口光滑,不积尘 管道内部严防油污(包括人体手上的汗液油脂) 确保安全 焊接密封性好,不漏气 接头密封性好,不漏气 CDA施工要点 CDA用于设备气动,机器手臂传送产品 压力达0.7MPa, 注意高压安全。 试压之前,严格检查确认各阀门、接头、堵头已安装好,无松动。 PCW施工要点 管道内无残渣,以防堵塞工艺设备。 管道内无空气 保证工艺设备进口与出口压力差 保证工艺设备冷却水流量,设备出口预留安装流量计的空间 CVD反应腔室 电施工要点 用电需求点较多 需求电压可能不一致 预算估价要充分考虑设备各部件的需要 排废气施工关注要点 易燃性--硅烷自燃,排气要密封性好 腐蚀性--NH3强腐蚀,需要耐腐蚀管道 毒害性--磷烷、砷烷毒性强,密封性要好 局部高温--根据需要进行保温,电缆避开 真空抽气速率—泵与设备连接管道要短 防震隔震—重点是泵与设备、泵与Scrubber之间的连接 安全与质量强调 1.安全性 特气管道系统密封性 排气管道密封性 隔震 特气管道VCR接头 2. 产品质量 特气管道内部洁净 大宗气体管道内部洁净 气体管道VCR接头 Thank You! * * 薄膜生长技术(2)--- 化学气相淀积 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 NH3 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 N2 N2 N2 N2 SiH4 N2 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 N2 N2 N2 N2 N2 N2 N2 N2 N2 N2 N2 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 SiH4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3N4 Si3

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