LCD_模组制程原理.ppt

* Welcome Servicenet Friends * * TFT LCD模组制程原理 * * TFT- LCD 的结构和工作机制 玻璃 玻璃 - - - - ④ 液晶 根据施加的电场 控制光通量 背光灯 + TFT-LCD的结构是这样的，液晶充填在彩色滤光器玻璃和TFT玻璃之间。 一个像素由3个子像素组成（R,G,B），并且显示清晰度是由像素的数目决定（SVGA,XGA,等）。 TFT矩阵由数据线（传输要显示的数据信号）、门线（传输TFT的开关信号）组成。每一个子像素上的TFT，控制施加在彩色滤光器玻璃电极和TFT玻璃电极之间电压，这个电压产生的电场作用在它们之间的液晶上。所施加的电压产生的电场将改变液晶分子的排列方向，液晶分子的排列方向将改变通过液晶的光线的偏振化方向。被偏振片起偏的偏振光的透过率，受所施加的电压的控制。所以，透过的光通量是在要显示的数据信号的控制之下。 ② 门极 控制TFT的开关 - - - - - - 白色（TFT关闭） 黑色（TFT开启） ① 源极 传输数据信号 偏振片 300μm(大约) 共用电极 一个像素 数据线 像素电极 门线 ) ) 彩色滤器玻璃 TFT玻璃 ③ 像素电极 给液晶施加电场 + + + + - - 液晶 完成每一制程后检查TFT层 检查 沉积 清洗 光阻涂布 曝光 显影 蚀刻 光阻去除 制程循环 在玻璃上沉积薄膜 溅镀：金属层 PECVD : 半导体层/绝缘层 去除玻璃上的异物粒子 在玻璃上涂光阻层 通过光罩投射光线 去除已产生化学反应的光阻 用蚀刻剂蚀刻沉积层 湿法蚀刻：金属层 干法蚀刻：半导体层/绝缘层 去除光阻条 光罩 半导体层/绝缘层 数据电极 绝缘层 ITO电极 门电极 TFT 制程 沉积层 玻璃 沉积区域 R F H Si Si N Si N H Si H H H N N H H H H H Al DC Al Al Al Al Ar+ Al Ar+ 目标 基板 P E C V D 溅镀 沉积 使用化学和物理方法在玻璃上沉积绝缘层，半导体层和金属层 * P E C V D （等离子增强化学气相沉积） * R F （射频） 原理 在真空室中，用射频将反应气体转变为等离子态，使反应气体发生化学反应，从而在玻璃上沉积氮化硅层，非晶硅层 原材料 氨气，硅烷，氢气，氮气，磷化氢 目标层 氮化硅层 非晶硅层 原理 用活化的氩气将想要沉积的金属元素从金属靶上的剥离，然后沉积在基板上（玻璃） 原材料 几种金属靶材（铝，铬，镆，氧化锡铟） 氩气 目标层 铝，铬，镆，氧化锡铟 清洗区域 清洗去除由环境，设备和人员带到 玻璃上的杂质颗粒 原理 用紫外线，物理方法或材料去除玻璃上的异物或颗粒，如去离子水，刷子，超声波。 原材料 去离子水 应用范围 所有沉积制程之前和之后 沉积层 颗粒 清洗 清洗 原理 光阻 原材料 光罩 显影剂 ?曝光 将光罩上的图案在玻璃上曝光，改变光阻的结构. ?显影 用显影剂将不需要的光阻去除. ?光阻涂布 用旋转涂布方法在玻璃上涂布光阻 光阻 沉积层 光阻 光阻区域 用平板照相制程在玻璃上形成所要的图案.. 光阻涂布 曝光 显影 光罩 去除金属层中不需要的部分，获得所要的图案 原理 使蚀刻剂与金属之间发生化学反应，去除不要的金属层 蚀刻剂 硫酸+醋酸+硝酸（铝层） C.A.N. ＋硝酸（铬层） 盐酸+硝酸（ITO 层） 目标层 铝，镆，铬，ITO 层 原理 用射频将沉积层分解为等离子态，在真空室中通过化学反应将不要的沉积层去除。 原材料 六氟化硫，氧气，氦气，氯化氢，氯气 目标层 半导体层: 非晶硅, 掺杂非晶硅 氮化硅层: 氮化硅 蚀刻区域 光阻 沉积层 蚀刻 湿法蚀刻 干法蚀刻 FO Si SiF4 Si 等离子 气体 RF 条状区域 蚀刻制程后的光阻去除制程 原理 通过化学反应将条状沉积层上已硬化的光阻去除 原材料 清除剂 异丙醇 条状沉积层 光阻 沉积层 条状沉积层 TFT阵列制程中和制程后的筛选制程 原理 将正常显示信号施加到TFT板上，检查其充电特性，滤除典型不良TFT板，如线条不良，像素不良。 检查步骤 TFT制程之后 原理 通过图像检查内部阵列重复的图案，滤除图案异常TFT板 检测步骤 所有成品检查: 像素层 [ 照相+最终检查] 抽样 : PQC 检查控制 ( 在 ACT, n+, PXL, MPS 之后 ) TFT 板 照相机 图像检查 重复图案 TFT基板 调节器 ~ 信号 多用图形显示系统检查MPS 图案检查 检查区域