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MOS管工艺
* Si片 p型衬底 厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 W W Al电极 n+ n+ G S D n沟道场效应管内部结构 形成与周围器件的隔离区 钨塞 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀Si3N4膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 热氧化形成厚SiO2膜： 1、热氧化形成厚SiO2膜 形成与周围器件的隔离区 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀Si3N4膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 厚SiO2膜 2、去处不必要的Si3N4膜 光刻胶 SiO2膜 反应离子刻蚀多晶硅膜 Si片 p型衬底 曝光 Si3N4膜 厚SiO2膜 多晶硅膜 3、形成多晶硅栅 栅 去掉剩下的光刻胶 源、漏区 SiO2膜 离子注入 Si片 p型衬底 Si3N4膜 厚SiO2膜 多晶硅膜 4、形成源、漏区 n+ n+ 栅 去掉不必要的多晶硅 SiO2膜 PSG流平 Si片 p型衬底 Si3N4膜 厚SiO2膜 CVD法形成磷硅玻璃膜 5、表面平坦化 G S D SiO2膜 Si片 p型衬底 Si3N4膜 热氧化形成厚SiO2膜 磷硅玻璃膜 6、形成接触孔 反应离子刻蚀PGS膜及SiO2膜 G S D 光刻胶 曝光 去掉剩下的光刻胶 * * *
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