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7四探针测试半导体薄膜的电阻率
实验七 四探针测试SZT—1型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置,可以测量棒状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率,片状半导体材料的电阻率和扩散层方块电阻,换上特制的四端子测试夹还可以对低、中值电阻进行测量。仪器由集成电路和晶体管电路混合组成,具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好,测量范围广,结构紧凑,使用方便的特点,测量结果由数字直接显示。仪器探头采用宝石导向轴套,与高耐磨合金探针组成具有定位准确,游移率小,寿命长的特点。本仪器适合于对半导体、金属、绝缘体材料的电阻性能测试。
实验目的1)了解四探针电阻率测试仪的基本原理;2)了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;3)能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。
实验原理
测试原理:直流四探针法测试原理简介如下:
1体电阻率测量:
当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。材料的电阻率????(cm)???式中C为探针系数,由探针几何位置决定。???????????????? ???
图? 四探针测量原理图
当试样电阻率分布均匀,试样尺寸满足半无限大条件时???? (cm)(2)
式中:、、分别为探针1与2,2与3,3与4之间的间距,当===1 mm时,C=2π。若电流取I = C时,则ρ= V 可由数字电压表直接读出。 (1)块状和棒状样品体电阻率测量
由于块状和棒状样品外形尺寸也探针间距比较,合乎与半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由(1),(2)式求出。
(2)薄片电阻率测量
薄片样品因为其厚度与探针间距比较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位的修正系数。
电阻率可由下面公式得出:
?? (3)
式中:?——为块形体电阻率测量值
?????——为样品厚度与探针间距的修正函数,可由相关表格查得
?——为样品形状和测量位置的修正函数。 当圆形硅片的厚度满足W/S0.5时,电阻率为:
???? (4)扩散层的方块电阻测量:当半导体薄层尺寸满足于半无限大平面条件时:
???????????????????????????????????????? ???? (5)
若取I =4.53,则R值可由V表中直接读出。
实验仪器分为电气部分、测试架两大部分,可以根据测试需要安放在一般工作台或者专用工作台上。
1仪器高灵敏度直流数字表Ω?cm、Ω?cm、kΩ?cm三个量程。
(由调制式高灵敏直流放大器、双积分A/D变换、计数器、显示器恒流源、电源、DC—DC电源变换器组成为了克服测试时探针与样品接触时产生的接触电势和整流效应的影响,本仪器设立有“粗调”、“细调”调零电路能产生一个恒定的电势来补偿附加电势的影响。仪器自较电路,备有精度为0.20%的标准电阻,作为自较电路的基础,通过自较电路可以方便地对数字电压表精度很恒流源进行校正。?
?2测试架
测试架由探头及压力传动机构、样品台构成,见图4所示
探头采用精密加工,配宝石导套,使测量误差大为减小,且寿命长,探头内有弹簧加力装置,测试还有高度粗调、细调装置。在半导体材料断面测量时,直径范围φ15 — 100 mm,其高度为400mm,如果要对大于400 mm长单晶的断面测量,可以将升降架升高或者加长主柱,测试架有专门的屏蔽导线插头与电气箱联结。实验内容测试准备将220V电源插入电源插座,电源开关置于断开位置,工作选择开关置于“短路”位置,电流开关处于弹出位置。将测试夹的屏蔽线插头与电气箱的输入插座连接起来,送开测试架立柱处的高度调节手轮,将探头调到适当的集团和高度,测试样品应进行喷纱和清洁处理,放在样品架上,使探针能与其表面良好接触,并保持一定的压力,调节室内温度使之达到要求的测试条件。
测量将电源开关置于开启位置,数字显示、仪器通电预热半小时(仪器作校准考核时0.2mv电压量程应预热一小时)。电阻率、方块电阻、电阻测量如下:
使探头接触到样品,功能开关置于“测量”拨动电流量程开关与电压量程开关,置于样品测量所适应的电流、电压量程范围及调节到适合的电流值,调节粗调和细调和细调调零,使数字显示为“0000”,按下电流开关,由数字显示板和单位显示灯直接读出测量值和单位,如果数字显示熄灭只剩下“1”或“1”,则测量数值已超过此电压量程,应将电压量程拨到更高挡。读数后退出电流开关,数字显示将恢复到零位,否则应重新测量,在仪表处于高灵敏电压挡时更要经常检查零位,再将极性开关拨至下方(负极性)按下电流开关,从数字显示板和单位显示灯可以读出负极性的测量值,将两次测量得的电阻率值取平均,即为样品在该处的电阻率值。测量电阻方块电阻时,可以
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