VOP新工艺开发及应用.doc

三大奖项申报表 一.基本信息： 所在系统： 部门： 班组/工序：机加工/激光钻孔 提案名称：VOP新工艺开发及应用 实施时间： 至 提案负责人： 主要成员： 提案分类： □合理化建议 ■技术进步 □质量改进 二．指标达成情况： 序号 指标 实施前 实施后 改进幅度（%） 相关部门确认 1 价值增加额度 无能力制作VOP 可接受VOP订单 Chris 2 质量改进幅度 徐娟 备注： 1.指标（提案价值点及实际成果）的填写可参考三大奖项评价标准，包含但不限于：价值增加额度、质量改进幅度、效率提升幅度、成本降低幅度，相关数据均需相关部门负责人签字确认。 2.涉及“增加税前利润”的计算过程（计算数据须以财务部核准的数据为基本依据，并经财务经理确认）： （期间：6个月以上；计算公式=增量收入-相关的成本费用支出。） 三.周边评价 序号 评价部门（班组） 评分（0-100分） 建议或意见 评价人 1 开发部 提升设计灵活性，扩大了产品接单范围。 2 品质部 已应用与部分产品 3 生产部 备注：周边评价部门为该提案实施以及应用中相关关联部门。 四.审核意见（详细内容请参阅总结报告）： 部门意见： 1.指标达成情况： 目标达成 □ 目标部分达成 □ 目标未达成 2.转化成熟度： □ 无须形成规范 □成果尚未形成规范或检验中 □ 成果已形成临时规范 成果已形成正式规范，局部需改进 □成果已形成正式规范运行持续有效 3.创新性评价： □ 公司内领先 行业内国类领先 □行业内全球领先 .□ 改进型创新 □ 根本型创新 3.其余说明与意见： 签名： 日期： 系统意见： 签名： 日期：  VOP新工艺开发及应用 总结报告 背景 为适应半导体芯片导体尺寸从0.1um的准纳米级正式向0.02um规格纳米级转变，封装基板的布线密度需要进一步增加。焊点可阵列分布的Flip-chip结构因单位面积I/O数的大幅提升，近年来受到业界个广泛关注。关于Flip-chip加工技术及应用的研究在近年都得到迅速发展 Wire-bonding 结构 Flip-chip结构 与传统Wire-bonding结构，Flip-chip结构封装基板连接点由周分布变为平面阵列分布，与芯片连接方式也由传统的金线为小尺寸锡球。这种阵列式分布锡球直接与芯片连接的技术对封装基板的平整度要求非常高。 VIP结构填充后 Blind-via填充后 此外，VIP结构需要使用特殊的填孔药水，填孔药水在提高通孔填充性能的同时，往往导致线路的圆弧率上升，这对于金手指区域有不利影响。 特殊填孔药水电镀后线路形貌 一般镀孔药水电镀后线路形貌 为满足Flip-chip产品高平整性焊盘要求，同时克服填孔时对线路圆弧率的影响，有必要在我司现有VIP技术的基础上，开发一种新型的双面板成孔技术。 VOP结构示意图 同时，从技术发展角度来看，也需积极开发适合我司生产流程的激光VOP技术，达到并赶超国际同行，以提升产品的技术含量，应对来竞争的压力。 目标 激光加工参数评估60-100μm VOP激光参数调整； 60-100μm激光VOP；优化；，实现60-100μm VOP； 规范化作业流程和作业参数，实现VOP产品量产。 过程实施 3.1 测试流程 开料→减薄铜→机械钻定位孔→蚀刻开窗→激光钻孔→除胶→化学沉铜→电镀填孔→下工序。3.2 测试方法 测试步骤 测试方法（内容） 激光加工参数评估 针对不同目标孔径，不同介质层厚度，不同材料的产品，脉宽、能量、枪数，光罩。 DOE测试60μm、80μm、100μm VOP产品过Output CTQ Control Target Input CTQ Ref. Parameter #of exp. Low High Via diameter （60μm） Dp/Dw=0.7±0.1 Dp:Pad Diam. Dw:Win