三极管场效应管.ppt

三极管　 　又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型。 　　主要以 NPN 型为例进行讨论。 图 1.3.1　三极管的外形 * 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 常用中小功率三极管参数表 ： 半导体三极管的型号 参数中的“配对管” ： 配对，是指选取2只（或更多只）三极管，它们的各项参数指标尽量一致，并且同时运用到一个或一组电路中的情况。对三极管一致性要求较高的场合有差分放大电路的左、右侧；双极或双端放大电路的上、下端；音频放大器的多个声道等等。 结构与符号(Structures and Circuit Symbol) 两种: NPN PNP 一、结构 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 三极: 三区: 两节: 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 e,b,c Je,Jc 二、符号 箭头: P N B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 各区特点 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 三极管的三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共发射极 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。用于放大电路 (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。用于开关电路 (3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。用于开关电路 例1：测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 实际案例 故障： 故障现象：一杂牌810主板，故障为工作不稳定（时亮时不亮）。 检修过程：经查发现外核电压偏低（2.2V），正常为2.5V。沿着2.5V线路查找发现与之相连的一个三极管损坏，更换后故障排除。 概 述 　　场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管分类： MOS 场效应管 结型场效应管 场效应管 根据国际GB249-1974规定，场效应管的型号有三部分组成，如：CS14A 其中CS表示场效应管，14表示用数字表示型号的序号，A表示同一型号中的不同规格 场效应管（FET） 通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高。 分类：场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管） 优点：场效应管具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成、抗辐射能力强、输入阻抗高，被广泛应用于各个电子领域。 作用：场效应管在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用。 四种 MOS 场效应管比较 电路符号及电流流向 S G U D ID S G U D ID U S G D ID S G U D ID NEMOS NDMOS PDMOS PEMOS 增强型N沟道管 耗尽型N沟道管 增强型P沟道管 耗尽型P沟道管 场效应管三个电极分别称为源极、栅极、漏极。相应地用S、