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三极管专题讲座 一、三极管的结构与类型 三、三极管的基本工作原理 三、三极管的特性曲线 四、三极管的主要参数 五、温度对三极管参数的影响 一、三极管的结构与类型 半导体三极管是电子电路重要器件,它通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起,由于两个PN结的相互影响,使三极管具有电流放大作用.从二极管发展到三极管,这是一个质得飞跃. 1、分类 按材料分：①硅管； ②锗管 按功率分：①小功率管；②中功率管；③大功率管 按结构分：①NPN； ②PNP 按频率分：①低频管； ②中频管； ③高频管 2、NPN和PNP管的结构示意及符号 2、NPN和PNP管的结构示意及符号 常见三极管的外形 常见三极管的外形 二、三极管的基本工作原理 2、电流分配关系 2、电流分配关系 2、电流分配关系 3、三极管的电流放大作用 3、三极管的电流放大作用 三、三极管的特性曲线 什么叫三极管的特性曲线？ 三极管伏安特性曲线是指三极管各电极电 压与各电极电流之间关系的曲线，它是管子内 部载流子运动规律的外部体现。 1、输入特性曲线 1、输入特性曲线 2、输出特性曲线 2、输出特性曲线 三极管的输入、输出特性曲线 3、把输出特性曲线划分成三个区 四、三极管的主要参数 1、电流放大系数 （1）共发射极直流电流放大系数 （2）共发射极交流电流放大系数 （3）输出特性曲线近于平行等距，且ICEO很小时， 四、三极管的主要参数 2、极间反向电流 （1）集电极—基极间反向饱和电流ICBO A、发射极开路（IE= 0）时，基极和集电极之间的反向电流称ICBO B、硅管 ICBO＜1μA锗管 ICBO =10μA 左右 C、ICBO越小，管子质量越好。 四、三极管的主要参数 2、极间反向电流 (2)集电极—发射极间的反向电流ICEO A、基极开路时（IB=0），集电极与发射极之间加反向电压时，从集电极穿过基区流到发射极的电流称ICEO B、ICEO =（1+β）ICBO C、要求ICEO越小越好。 四、三极管的主要参数 3、极限参数 (1)基极开路时，集电极与发射极之间的反向击穿电压U(BR)CEO。使用时三极管各电极间的电压不要超过U(BR)CEO就可以了。 (2)集电极最大允许电流ICM。IC↑→β↓。 ICM 就是表示β下降到额定值的1/3～2/3时的IC值， 正常工作时，iC＜ICM。 (3)集电极最大允许耗散功率PCM = iC·uCE。在的输出特性曲线上，做出三极管临界损耗线，如图 四、三极管的主要参数 4 频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若 晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能 力减弱甚至失去放大作用。 (1)特征频率fT 电流放大系数将随着频率的升高而下降。特征频率是指hfe即β值降为1时晶体管的工作频率。 (2)最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 五、温度对三极管参数的影响 1、温度对ICBO的影响 温度每升高10℃， ICBO就增加一倍。 2、温度对β的影响 三极管的电流放大系数β随温度升高而增大。 三极管每升高1℃，相应地增大0.5﹪～1﹪ 3、温度对发射结正向电压降UBE的影响 当温度上升1℃，UBE电压下降 (2～2.5mV/℃) * * 耗散功率小于等于0.3W的晶体管称为小功率管。 耗散功率大于0.3W且小于等于1.5W的晶体管称为中功率管。 耗散功率大于1.5W的晶体管称为大功率管。 特征频率小于等于3MHz的晶体管称为低频管。 特征频率大于30MHz的晶体管称为高频管。 特征频率大于3MHz且小于等于30MHz的晶体管称为中频管。 PN结 PN结 发射区 发射极emitter 基区 基极base 集电区 集电极collector 集电结 发射结 E C B NPN 型 (1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向 符号 (2)三极管有三个区： 发射区—发射极e； 基区——基极b； 集电区——集电极c。 (3)发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度，基区很薄且掺杂的浓度低；而集电结面积比发射结面积大得多，所三极管的发射极与集电极不能对调使用。 PN结 PN结 发射区 发射极emitter 基区 基极base 集电区 集电极collector 集电结 发射结 E C B PNP 型 (1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向 符号 (2)三极管有三个