三极管初步介绍.ppt

三极管与放大电路基础;半导体的基本知识 ;1.1 半导体的基本知识 ; ; ; ; ; ; 1.4.3 杂质对半导体导电性的影响;载流子的漂 移与扩散;2.1 载流子的漂移与扩散;2.2 PN结的形成;2.2 PN结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半 导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面 上形成如 下物理过程:; 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 ;2.3 PN结的单向导电性;(2) PN结加反向电压时;结论; (3) PN结V-I 特性表达式; 3 双极结型三极管及放大电路基础;3.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意 图如图所示。它有两种类型: NPN型和PNP型。;集成电路中典型NPN型BJT的截面图; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子 传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;3.2 放大状态下BJT的工作原理;3.2 放大状态下BJT的工作原理;3.2 放大状态下BJT的工作原理; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;根据;3.3.2 输出特性曲线;3.4 BJT的主要参数; (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE ;3.4 BJT的主要参数;3.4 BJT的主要参数;3.4 BJT的主要参数;(3) 反向击穿电压;1. 温度对BJT参数的影响;4.1 共射极放大电路的工作原理;1. 静态(直流工作状态);4.1 共射极放大电路的工作原理;5 放大电路的分析方法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法; 3.3 BJT的V-I 特性曲线;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.1 图解分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号??型分析法;5.2 小信号模型分析法;5.2 小信号模型分析法;三种组态的比较;Thank you