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友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目环保“三同时”执行情况报告 友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目 环保“三同时”执行情况报告 友达光电（昆山）有限公司 1 友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目环保“三同时”执行情况报告 一、建设项目概况 （一）建设项目名称、行业类别、生产规模、建设地点、投资总额、开工 日期、建成日期、占地面积、职工人数、工作制度。 1.建设项目概况 项目名称：第6 代LTPS TFT-LCD 生产线项目 行业类别：工贸企业 生产规模： 年产72 万片 建设地点：昆山经济技术开发区龙腾路6 号 项目总投资：31.22 亿美元 开工日期：2015 年8 月 建成日期：2016 年11 月 占地面积：890304m2 总建筑面积：898512 ㎡ 职工人数：3000 人 工作制度：车间内作业人员主要采用五班二运转的管理制度，每班工作 12 小时，年工作天数360 天，年工作小时数8640 小时。 （二）建设项目主体工程及产品方案、公用及辅助工程详细情况。 1.主体工程及产品方案 第6 代LTPS TFT-LCD 生产线项目主体工程包括：阵列工程（铝制程）、 彩膜工程、成盒工程、薄化工程、触控工程、模块工程。 1.1 阵列工程 阵列生产车间负责阵列基板的生产，包括玻璃基板清洗、CVD、镭射结 晶、离子植入，溅射、光刻、刻蚀、剥离等工序。阵列工程使用外购的专用 玻璃基板，充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积（CVD）的 方法形成半导体膜或隔离膜，非晶硅半导体膜再经镭射结晶形成多晶硅，通 友达光电（昆山）有限公司 2 友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目环保“三同时”执行情况报告 过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤岛、源漏电 极及引线、接触过孔、像素电极、经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻 工艺并经湿法/干法刻蚀后，剥离掉多余的光刻胶，并利用离子植入定义N、 P 型半导体，以形成源极、栅极以及特性调整，再经热处理把半导体特性作 均一化处理后即做成阵列玻璃基板。 阵列工程生产工艺流程见图1.1-1 友达光电（昆山）有限公司 3 友达光电(昆山)有限公司第一阶段建设项目环保“三同时”执行情况报告 玻璃基板 清洗液 清 洗 DI 纯水 Mo/Al 靶材 栅电极溅射沉积 Ar 光刻胶 稀释剂，显影液 1 次掩膜光刻 DI 纯水 SF , Cl O ，CF 干法刻蚀 6 2, 2 4 剥离液 光刻胶剥离 DI 纯水 SiH , NF , NH 4 3 3 有源层PECVD 淀积 N O, N , Ar