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2SC5566-TD-E;2SA2013-TD-E;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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2SC5566-TD-E;2SA2013-TD-E;中文规格书,Datasheet资料

Ordering number : ENN6307B 2SA2013 / 2SC5566 2SA2013 / 2SC5566 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features • Adoption of FBET and MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products. • High allowable power dissipation. Specifications ( ) : 2SA2013 Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO (--50)100 V Collector-to-Emitter Voltage VCES (--50)100 V Collector-to-Emitter Voltage VCEO (--)50 V Emitter-to-Base Voltage VEBO (--)6 V Collector Current IC (--)4 A Collector Current (Pulse) ICP (--)7 A Base Current IB

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