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IRF540N 沟道MOS 管 特性 ‘Thrench’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的N 通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC 到DC 转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540 中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ˚C to 175˚C - 100 V V_DGR 漏门极电压 Tj = 25 ˚C to 175˚C; - 100 V V_GS 门源极电压 RGS = 20 kΩ - ±20 V I_D 连续漏电流 - 23 A Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V - 16 A I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V - 92 A P_D 总功耗 Tmb = 25 ˚C - 100 W Tj，Tsig 操作点和 Tmb = 25 ˚C -55 175 ℃ 存储温度 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 非重复性雪 Unclamped inductive load,IAS 10A; - 230 mJ E AS 崩能量 tp 350 µs;Tjprior to avalanche 25˚C; 最大非重复 VDD ≤ 25 V; RGS 50 Ω;VGS 10V; - 23 A I AS 性雪崩电流 refer to fig:14 热敏电阻 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 安装底座交界 - - 1.5 K/W R thjmb 处的热阻 周围环境热阻 SOT78封装，自由空间 - 60 - K/W R thja SOT404封装，PCB 上 - 50 - K/W 电特性 25℃ 除非另有说明 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 V(BR)DSS 漏源极崩溃电压 V =0V； =0.25mAI 100 - - V GS D Tj -55˚C 89 - - V 门阀电压 VDS VGS ;ID 1mA 2 3 4 V V GS(TO) Tj 175˚