项目1任务4选购计算机硬件内存.ppt

单元2—选购计算机硬件 1. TSOP封装 TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装是在芯片的周围做出针脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB的表面。是目前主流的封装形式。改进型的TSOP技术TSOPII目前广泛应用于SDRAM、DDR SDRAM内存上。如图3.12所示。 图3.12 TSOP内存封装技术 单元2—选购计算机硬件 2. BGA封装 BGA(Ball Grid Array Package，球栅阵列封装)封装的最大特点是BGA芯片的边缘没有针脚，而是通过芯片下面的球状引脚与印制板连接。目前DDR2采用的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array，细密球栅阵列封装）封装也属于BGA体系，为BGA的改进型。如图3.13所示。 图3.13 FBGA内存封装技术 单元2—选购计算机硬件 3. CSP封装 CSP（Chip Scale Package，芯片级封装）是必威体育精装版一代的内存芯片封装技术。该封装比较脆弱，PCB板的变形有可能引起芯片破裂。目前该封装技术主要用于DDR3内存，如图3.14技术。 图3.14 CSP内存封装技术 单元2—选购计算机硬件 4.2.7 常见的DDR SDRAM 内存芯片 虽然内存条的品牌较多，如：Kingston（金士顿）、Leadram（超胜）、Samsung（三星）、Apacer（宇瞻）、Kingmax（胜创）等。但内存芯片的制造商只有几家，所以许多不同品牌的内存条上焊接着相同型号的内存芯片，常见的内存芯片制造商有：Samsung、Micron Hynix（现代）、Mosel Vitelic、Infineon、Nanya等。 单元2—选购计算机硬件 4.2.8 常见的DDR2／3 SDRAM内存标识 各种内存都有各自的编号，在内存芯片上的编号提供了内存关键参数的相关信息，主要包括： 1.芯片的容量 2.芯片的位宽 3.芯片的逻辑Bank数量 4.芯片的工作速度 单元2—选购计算机硬件 1. 海力士DDR2／3 内存编号 例如：海力士DDR2内存编码规则（HY XX X XX XX X X X X X X-XX X） 第一字段（第1、2位）：表示芯片品牌，HY代表海历士（Hynix）内存芯片。 第二字段（第3、4位）：表示芯片品牌产品类型，5P代表DDR2 SDRAM内存。 第三字段（第5位）：表示工作电压，S代表VDD=1.8V＆VDDQ=1.8V。 第四字段（第6、7位）：表示容量与刷新速度，28代表128Mb、4K/64ms；56代表256Mb、8K/64ms；12代表512Mb、8K/64ms；1G代表1Gb、8K/64ms；2G代表2Gb、8K/64ms。 第五字段（第8、9位）：表示芯片结构，4代表×4，8代表×8，16代表×16，32代表×32。 单元2—选购计算机硬件 第六字段（第10位）：表示内存芯片内部由几个Bank组成，1代表2Bank，2代表4Bank，3代表8Bank。 第七字段（第11位）：表示电气接口，1代表SSTL_18；2代表SSTL_2。 第八字段（第12位）：表示内存芯片的修正版本，空白代表第一版，A代表第二版，B代表第三版，C代表第四版。 第九字段（第13位）：表示功率消耗能力，空白代表正常功耗；L代表低功耗；K代表Reduced Power 。 第十字段（第14位）：表示内存芯片的封装方式， F代表FBGA single Die封装，S代表FBGA Stack封装（Hynix），M代表FBGA DDP封装。 第十一字段（第15位）：表示内存芯片的封装材料，空白代表正常，P代表Lead free；R代表LeadHalogen free。 单元2—选购计算机硬件 第十二字段（第16、17位）：表示内存芯片的速度标识，E3代表DDR2-400（3-3-3）；E4代表DDR2-400（4-4-4）；C3代表DDR2-533（3-3-3）；C4代表DDR2-533（4-4-4）；C5代表DDR2-533（5-5-5）；Y4代表DDR2-667（4-4-4）；Y5代表DDR2-667（5-5-5）；Y6代表DDR2-667（6-6-6）；S5代表DDR2-800（5-5-5）；S6代表DDR2-800（6-6-6）。 第十三字段（第18位）：表示工作温度类型（此字段也可空白），I代表工业温度（－400C～850C）；E代表扩大温度（－250C～850C）。 例如，一条海力士DDR2内存，使用HY5PS2G431CMP－S6内存芯片，表示