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SiC纳米晶须的光致发光研究-发光学报
22 1 Vo 22 No . 1
200 1 3 CHINESE J OU RNA L OF LU MINESCENCE M ar . , 200 1
SiC纳米晶须的光致发光研究
1, 2 1 2 3
张洪涛 , 徐重阳, 许 辉, 朱长虹
( 1 , 430074; 2 , 430074;
3 , 430074)
: , , Ar+ ( 5 145nm)
, , ,
, , ,
,
: SiC ; ; ;
: O4723 : A : 1000- 70 32( 200 1) 0 1-0066- 05
D/ max- B , Phi ips- BC12
1 引 言
SiC
[ 1] 3 结果与讨论
SiC
, SiC SiC T EM 1,
, 4 80nm ,
[ 2] , 2~ 4nm, 40~ 60nm,
SiC L ED
1 10- 4 % , 14 10- 6 m/ X 2 ,
W[ 3] , , , ,
SiC - SiC
SiC
[ 4]
460nm
, SiC
, Ar+ ( 514nm ) SiC
,
2 实 验
So- ge SiC
SiC
[ 5] , Renishaw M KE- 1 SiC T EM
1000 , A r+ ( 514nm F ig. 1 T EM microphotog raph of nanor ods SiC .
, Renishaw Company A r +
) ; X , ,
: 2000-02-02; : 2000-08-04
: ( 1963- ) , , , , ,
1 , : SiC 67
3 SiC
, , nm , , SiC
65493nm , ; , N , N
514nm A r+ [ 6]
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