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SiC肖特基二极管特点优点应用-北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 【CGD1S06506】
SiC 肖特基二极管
特点
VRRM 650V
零反向恢复电流 I ,T =25℃ 6 A
F c
高频工作 Q 20nC
c
与温度无关的开关特性
极快的开关特性
3
优点
基本无开关损耗
1
对散热器要求降低
效率更高
并联器件不会导致热失控 2 RoHS
应用
开关电源
功率因数校正
电机驱动器
额定值
参数 符号 值 单位 测试条件
反向重复峰值电压 VRRM 650 V
反向浪涌峰值电压 VRSM 650 V
直流反向峰值电压 VDC 650 V
持续直流电流 IF 6 A T =150℃
c
正向重复峰值浪涌电流 38 A T =25℃,t =10ms,Half Sine Pulse ,
c p
IFRM
D=0.1
正向不重复浪涌峰值电流 I 49 A T =25℃,t =10ms,Half Sine Pulse
FSM c p
功率耗散 P 93.5 W T =25℃
tot
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