SiC肖特基二极管特点优点应用-北京世纪金光半导体有限公司.PDF

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SiC肖特基二极管特点优点应用-北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 【CGD1S06506】 SiC 肖特基二极管 特点 VRRM 650V 零反向恢复电流 I ,T =25℃ 6 A F c 高频工作 Q 20nC c 与温度无关的开关特性 极快的开关特性 3 优点 基本无开关损耗 1 对散热器要求降低 效率更高  并联器件不会导致热失控 2 RoHS 应用 开关电源 功率因数校正 电机驱动器 额定值 参数 符号 值 单位 测试条件 反向重复峰值电压 VRRM 650 V 反向浪涌峰值电压 VRSM 650 V 直流反向峰值电压 VDC 650 V 持续直流电流 IF 6 A T =150℃ c 正向重复峰值浪涌电流 38 A T =25℃,t =10ms,Half Sine Pulse , c p IFRM D=0.1 正向不重复浪涌峰值电流 I 49 A T =25℃,t =10ms,Half Sine Pulse FSM c p 功率耗散 P 93.5 W T =25℃ tot

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