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水热法制备ZnO纳米结构.ppt

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水热法制备ZnO纳米结构

摘 要 纳米结构的ZnO由于具有优异的光、电、磁、声等性能,已经成为光电、化学、催化、压电等领域中聚焦的研究热点之一。不同纳米结构的ZnO其制备方法多种多样,本文着重综述了水热法制备ZnO纳米结构,并探讨了ZnO纳米结构的生长机理和调控 水热法制备ZnO纳米结构简介及研究新进展 水热法是指在特制的密闭反应器(高压釜)中,采用水溶液作为反应体系,通过对反应体系加热加压(或自生蒸汽压),创造一个相对高温、高压的反应环境,使通常难溶或不溶的物质溶解,并且重结晶而进行无机合成与材料处理的一种方法。经过十多年的发展,水热法逐步发展成为纳米材料制备最常用的方法之一。由于水热法自身的优点和特殊性,在科技高度交叉的21世纪,水热法已不再局限于晶体生长,而是跟纳米技术、地质技术、生物技术和先进材料技术息息相关,水热法的研究也向深度与广度发展。 目前很多的水热法合成ZnO纳米结构采用在75~250℃的密闭容器中进行。 采用的试剂为锌盐、碱或氨水、表面活性剂或分子模板(如乙二胺)等。在这样的低温和简单设备下,同样也得到了质量很好的不同形貌的ZnO单晶[9]。 水热法合成ZnO纳米结构引起人们广泛关注的主要原因是:(l)水热法采用中温液相控制,能耗相对较低,适用性广,既可用于超微粒子的制备,也可得到尺寸较大的单晶。(2)原料相对廉价易得,反应在液相快速对流中进行,产率高、物相均匀、纯度高、结晶良好,并且形状、大小可控。(3)在水热过程中,可通过调节反应温度、压力、处理时间、溶液成分、pH值、前驱物和矿化剂的种类等因素,来达到有效地控制反应和晶体生长特性的目的。(4)反应在密闭的容器中进行,可控制反应气氛而形成合适的氧化还原反应条件,获得某些特殊的物相,尤其有利于有毒体系中的合成反应,这样可以尽可能地减少环境污染。 ZnO纳米结构的生长机理示意图,当ZnO晶核形成后,1631的弱碱性可以使ZnCl2更快地水解释放出Zn2+阳离子,当ZnO晶核形成后,1631与晶核结合影响晶核的发育生长,加入少量1631时,得到的产物为比表面积较小的纳米棒自组装而成的多枝状ZnO纳米结构. 在密度调控方面,研究发现溶液反应条件,如温度、浓度、pH值、反应时间以及衬底条件都将对所得纳米棒产生影响[15]。Ma等研究发现其中溶液的浓度对所得纳米棒阵列的密度具有决定作用[16],其研究发现溶液浓度由1M/L下降为0.0001M/L,对应的纳米棒的密度也由1010rods/cm2下降为l06rods/cm2。 图在Si衬底上,先期对ZnO籽晶层图形化处理,后生长的ZnO纳米图形化结构,采用电子束光刻技术对籽晶层进行图形化处理,从而实现了单根纳米棒生长的控制 在纳米棒阵列图形化方面,通过对籽晶层先期图形化处理,可以设计各种图形,如图4[17](a)和(b)所示,另外采用电子束光刻等技术,可以图形化出只够一根纳米棒生长的籽晶颗粒,从而可实现对单根纳米棒生长的控制,如图(c)所示, 这不仅有利于图形化设计,对调控纳米棒密度等也较为有意义。 在高长径比(50)纳米棒方面,水热法较难合成出高长径比一维ZnO纳米结构,但Yang等通过在溶液中加入(PEI)来抑制纳米棒侧面的生长,从而得到了长径比高达125的纳米线结构,如图5(a)所示,这对于需要高比表面积的器件,如太阳能电池以及传感器等比较有意义。 图5 (a)通过在水热法溶液中引入PEI试剂,生长得到的高长径比ZnO纳米线阵列,(b)在pH=13.2的溶液中所生长得到的二维纳米片结构 在二维ZnO纳米结构方面,如纳米片等,尽管生长原理还没有一致的结论, 但Sun等通过调节溶液pH值,既可以得到纳米棒结构(pH=9),还可得到厚度为 ~20nm、宽度200nm的二维的纳米片结构(pH=13.2),如图5(b)所示。 由上可以看出,尽管水热法在调控纳米结构方面已有很大进步,但仍处于探索阶段。 谢谢观赏! Company Logo LOGO 水热法制备ZnO纳米结构 Company Logo 参考文献 [1] Duan X, Huang Y, Cui Y, et al, et al. Nature(London), 2001, 409: 66—68. [2] Huang M H, Mao S, Feick H, et al. Science, 2001, 292: 1897—1900. [3] 李海玲,王永生,滕枫,等.光谱学与光谱分析, 2004, 24(10): 1172—1175. [4] Beermann N, Vayssieres L, Lindquist S E, et al

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