JCS4N80H-吉林华微电子股份有限公司.PDF

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2017-09-01 发布于天津
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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80H 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4 A ID 800 V VDSS 2.5 Ω Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 14nC 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High frequency switch 电子镇流器 mode power supply LED 电源 Electronic ballasts LED power supply 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge 低 Crss (典型值 9pF) Low Crss (typical 9pF ) 开关速度快 Fast switching 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 无卤素包器件重量订货型号印记封装 Halogen 装 Device Order codes Marking Package Free Packaging Weight JCS4N80CH-O-C-N-B JCS4N80CH TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.15 g(typ) JCS4N80FH-O-F-N-B JCS4N80FH TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ) 版本：201510C 1/10 R JCS4N80H