玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能.PDF

第 38卷 第 1期 中 国 激 光 VoL38。NO．1 2011年 1月 CHINESEjOURNALOFLASERS January，2o11 玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能 王东生 杜建周 。李雪华 许艳艳 李永祥 f 南京航空航天大学应用物理系 ，江苏 南京 210016 ] l。中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海 200050I l 。南京航空航天大学航空宇航学院，江苏南京210016 j 摘要 用直流磁控溅射法在 190℃玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜，利用荧光分光光度计研究。TITO薄膜的光致 发光性能。结果表明，室温下 ITO薄膜在波长250rim光源的激发下 ，分别在467nm和 751nIi1处观察到了发光强度较强 的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰 的出现分别和 IT0薄膜 中的氧空位 、铟空位等缺陷在禁带 中形成 的 能级有关 ，其中氧空位形成 的施主能级位于导带下 1．2eV处 ，而铟空位形成 的受主能级位于价带下 1．65eV处 。 关键词 薄膜 ；氧化铟锡薄膜 ；光致发光 ；直流磁控溅射 ；能级 中图分类 号 0433．】；0484．4。。1 文献标 识码 A doi：10．3788／CJL201138．0107002 PhotoluminescencePropertiesofIndium TinOxideFilmsDeposited on GlassSubstrate WangDongsheng 。· DuJianzhou。 LiXuehua XuYanyan LiYongxiang DepartmentofAppliedPhysics。NanjingUniversityofAeronauticsandAstrnoautics，Nanjing，Jiangsu210016，China StateKeyLaboratoryofHighPerformanceCeramicsandSuperfineMicrostructure， ShanghaiInstituteof Ceramics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050，China 。CollegeofAerospaceEngineering。NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics，Nanjing，Jiangsu210016，China Abstract Indium tinoxide (ITO)thinfilmsaredepositedonglasssubstratesat190℃ bydirectcurrent(DC)magnetron method．ThephotoluminescencepropertiesofITOthinfilmsareinvestigatedbyusingfluorescencespectrophotometer．With thephotonexcitationwavelength of250nm atroom temperature，ITO filmsshow astrongbroadblueemission andaweak redemissioncenteredataround467and751nm ．respectively．TheblueandredemissionsofITOfilmsarerelatedwiththe energylevelformedbyoxygenvacanciesandindium vacanciesinforbiddenband．Oxygenvacanciesresultsinadonorenergy leve