gan功率器件及其应用现状与发展 development and application of gallium nitride power devices.pdfVIP

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2017-09-03 发布于上海
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gan功率器件及其应用现状与发展 development and application of gallium nitride power devices

第19卷第4期上海电机学院学报 v01．19No．4 2016年 OFSHANGHAI JOURNAL DIANJIUNIVERSITY 2016 文章编号2095—0020(2016)04—0187—10 GaN功率器件及其应用现状与发展秦海鸿’ 董耀文，张英，徐华娟，付大丰，严仰光 (南京航空航天大学自动化学院，南京211106) 摘要电力电子器件是电力电子技术的重要基础。现有硅基电力电子器件的性能已经逼近其材料极限，很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能，成为电力电子器件的研究热点。介绍了氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状，阐述了其在典型场合中的应用，并剖析了其发展中存在的挑战。关键词宽禁带半导体器件；氮化镓；电力电子技术；现状；发展 386 A 中图分类号TN 文献标识码 and ofGa…umNitridePowerDevices DevelopmentApplication QIN Yaowen，ZHANG Huajuan， Haihong，DONG Ying，XU FU YAN Dafeng， Yangguang ofAeronauticsand of (NanjingUniversity Astronautics，College Automation 211106，China) Engineering，Nanjing AbstractPowerelectronicdevicesarean basisfor electronic important power technology． limi— Aftera of based devicesexhibitunavoidable longperioddevelopment，siliconpower physical tationsin ofsiliconbased converters．Ontheother improvingperformance power hand，gallium nitridebaseddeviceshavebetter duetotheir becomea outstanding performance properties，and electronicdevices．This reviewstherecent newtrendindevelopingpower pa