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VF20120SG-E34W;VB20120SG-E34W;V20120SG-E34W;VI20120SG-E34W;中文规格书,Datasheet资料
New Product
V20120SG, VF20120SG, VB20120SG VI20120SG
Vishay General Semiconductor
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Ultra Low V = 0.54 V at I = 5 A
F F
FEATURES
TMBS®
TO-220AB ITO-220AB • Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power
losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF
maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
2 3 2 3 • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
1
V20120SG 1 VF20120SG per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,
PIN 1 PIN 1 and TO-262AA package)
PIN 2 PIN 2
PIN 3 CASE PIN 3
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