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VB30120SG-E34W;V30120SG-E34W;VF30120SG-E34W;VI30120SG-E34W;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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VB30120SG-E34W;V30120SG-E34W;VF30120SG-E34W;VI30120SG-E34W;中文规格书,Datasheet资料

New Product V30120SG, VF30120SG, VB30120SG, VI30120SG Vishay General Semiconductor High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low V = 0.47 V at I = 5 A F F FEATURES TMBS® TO-220AB ITO-220AB • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) 3 3 2 1 2 • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, V30120SG 1 VF30120SG per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, PIN 1 PIN 2 PIN 1 PIN 2 and TO-262AA package) PIN 3 CASE PIN 3 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

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